[发明专利]用于可流动式CVD的双远程等离子体源的集成在审

专利信息
申请号: 201711216053.7 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN108118312A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 马莹;D·拉杰;J·D·平松二世;D·李;梁璟梅;张轶珍 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;H01J37/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 金红莲;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 自由基 处理腔室 处理区域 可流动 沉积 远程等离子体源 传递环 传递 清洁 喷头 漂移 基板支撑件 传递通道 交叉污染 循环变化 最小化 侧壁 引入 改进
【权利要求书】:

1.一种环,包括:

外部部分;

内部部分,其中环形通道形成在所述外部部分与所述内部部分之间,其中多个通道形成在所述内部部分中,并且所述多个通道相对于所述环的中心轴线不对称地设置;

上部部分,所述上部部分将所述外部部分和所述内部部分连接;以及

下部部分,所述下部部分将所述外部部分和所述内部部分连接。

2.如权利要求1所述的环,其中所述多个通道是倾斜的。

3.如权利要求1所述的环,其中所述多个通道具有不同尺寸。

4.如权利要求1所述的环,其中所述多个通道具有相同尺寸。

5.如权利要求1所述的环,其中所述内部部分包括上游部分和下游部分。

6.如权利要求5所述的环,其中所述下游部分比所述上游部分包括所述多个通道中的更多通道。

7.如权利要求5所述的环,其中所述下游部分包括所述多个通道中的比所述多个通道在所述上游部分中的通道具有更大尺寸的通道。

8.一种处理腔室,包括:

盖;

腔室壁,其中所述盖设置在所述腔室壁上方;

喷头,所述喷头设置在所述盖下方;

基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述喷头下方;以及

自由基传递环,所述自由基传递环设置在所述喷头与所述基板支撑件之间,其中所述自由基传递环包括:

外部部分;

内部部分,其中多个通道形成在所述内部部分中;

上部部分,所述上部部分将所述外部部分和所述内部部分连接;以及

下部部分,所述下部部分将所述外部部分和所述内部部分连接。

9.如权利要求8所述的处理腔室,其中所述多个通道是倾斜的。

10.如权利要求8所述的处理腔室,其中所述多个通道相对于轴线不对称地设置在所述内部部分中。

11.如权利要求8所述的处理腔室,其中所述多个通道具有不同尺寸。

12.如权利要求8所述的处理腔室,其中所述内部部分包括上游部分和下游部分。

13.如权利要求12所述的处理腔室,其中所述下游部分比所述上游部分包括所述多个通道中的更多通道。

14.如权利要求12所述的处理腔室,其中所述下游部分包括所述多个通道中的比所述多个通道在所述上游部分中的通道具有更大尺寸的通道。

15.一种处理腔室,包括:

盖;

第一远程等离子体源,所述第一远程等离子体源设置在所述盖上方;

腔室壁,其中所述盖设置在所述腔室壁上方;

第二远程等离子体源,所述第二远程等离子体源被耦接到所述腔室壁;

喷头,所述喷头设置在所述盖下方;

基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述喷头下方;以及

自由基传递环,所述自由基传递环设置在所述喷头与所述基板支撑件之间。

16.如权利要求15所述的处理腔室,其中所述自由基传递环包括:

外部部分;

内部部分,其中多个通道形成在所述内部部分中;

上部部分,所述上部部分将所述外部部分和所述内部部分连接;以及

下部部分,所述下部部分将所述外部部分和所述内部部分连接。

17.如权利要求15所述的处理腔室,其中所述多个通道是倾斜的。

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