[发明专利]一种大功率LED封装工艺

权利要求书

1.一种大功率LED封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：

a、制备封装散热基板，将LED灯芯焊接在所述封装散热基板上，在所述封装散热基板上涂覆第一硅胶层；

b、在所述第一硅胶层上形成若干半球型凹槽；

c、在所述半球形凹槽内涂覆透镜硅胶并延伸至所述半球形凹槽外，形成球形透镜；

d、在所述球形透镜上部涂覆第二硅胶层。

2.根据权利要求1所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述制备封装散热基板具体包括：

a1、选择原始散热基板；

a2、在所述原始散热基板一平面沿着宽度方向开设若干间隔预定距离的槽体，得到所述封装散热基板；

其中，所述槽体为半圆柱型槽体。

3.根据权利要求1所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述步骤b具体包括：

b1、将第一半球形模具压制在所述第一硅胶层，形成所述半球形凹槽；

b2、对所述第一硅胶层在第一预定温度下烤制第一预定时间；

b3、去除所述第一半球形模具。

4.根据权利要求1所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述步骤c具体包括：

c1、在所述半球形凹槽内涂覆透镜硅胶，形成下半球结构；

c2、利用所述第一半球形模具，在所述下半球结构上部涂覆透镜硅胶，对应形成上半球结构，所述下半球结构与所述上半球结构结合形成所述球形透镜。

5.根据权利要求1所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述步骤d具体包括：

d1、利用第二半球形模具在所述第二硅胶层上形成半球形凸透结构；

d2、对所述第二硅胶层在第二预定温度下烤制第二预定时间；

d3、去除所述第二半球形模具。

6.根据权利要求1-5任一项所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述第一硅胶层的折射率小于所述第二硅胶层的折射率，且所述球形透镜的折射率大于所述第二硅胶层的折射率。

7.根据权利要求3所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述第一预定温度为90℃-125℃，所述第一预定时间为15min-60min。

8.根据权利要求5所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述第二预定温度为100℃-150℃，所述第二预定时间为4h-12h。

9.根据权利要求1-5任一项所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述球形透镜在所述封装散热基板上形成规则的阵列。

10.根据权利要求1-5任一项所述的大功率LED封装工艺，其特征在于，所述封装散热基板为铝散热基板。