[发明专利]有机复合薄膜及其在有机电子器件中的应用

权利要求书

1.一种有机复合薄膜，其特征在于，依次包含有功能层L1和功能层L2，其中功能层L1包含有一有机材料M1，功能层L2包含有一有机材料M2：

1)M1和M2至少有一个是高聚物；2)M1和M2具有Ⅱ型的半导体异质结结构，且min(Δ(LUMO_M1-HOMO_M2),Δ(LUMO_M2-HOMO_M1))≤min(E_T(M1),E_T(M2))+0.1eV，其中HOMO(M1)，LUMO(M1)及E_T(M1)分别表示M1的最高占有轨道，最低未占有轨道，三线态的能级，HOMO(M2)，LUMO(M2)及E_T(M2)分别是M2的最高占有轨道，最低未占有轨道，三线态的能级；

所述M1选自所述M1选自带有胺、三芳基胺、酞菁、噻吩、吡咯、咔唑、茚并咔唑、吲哚咔唑或其异构体和衍生物基团，且含有如下通式或其异构体和衍生物基团的小分子或高聚物：

其中，

L¹表示单键、碳原子数为6～30的芳香基团或碳原子数为3～30的芳杂基团，L¹的连接位置可以是苯环上任意一碳原子上；

L²、L³、L⁴、L⁵表示碳原子数为6～30的芳香基团或碳原子数为3～30的芳杂基团；

Ar¹⁰、Ar¹¹表示碳原子数为6～30的芳香基团或碳原子数为3～30的芳杂基团；

A¹、A²分别独立表示N(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂；

A³、A⁴分别独立表示单键、N(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂，但不能同为单键；

Y¹～Y⁸分别独立表示N(R)、C(R)₂、Si(R)₂、O、C＝N(R)、C＝C(R)₂、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO₂；

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R分别独立表示H、D、F、CN、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数为6～60芳香族烃基或碳原子数为3～60的芳香族杂环基，其中，R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶的连接位置可以是稠环上任意一碳原子上；

m表示1、2、4、5、6。

2.根据权利要求1所述的有机复合薄膜，其特征在于，所述M1具有空穴传输性能，所述M2具有电子传输性能。

3.根据权利要求1或2所述的有机复合薄膜，其特征在于，所述M1的HOMO-(HOMO-1)≥0.3eV，或所述M2的((LUMO+1)-LUMO)≥0.15eV。

4.根据权利要求1或2所述的有机复合薄膜，其特征在于，所述M1选自如下结构：

5.根据权利要求1或2所述的有机复合薄膜，其特征在于，所述M2选自带有吡啶、嘧啶、吡嗪、吩嗪、苝、芘、咪唑、噁二唑、三嗪、三唑、吩嗪或其异构体和衍生物基团的小分子或高聚物。