[发明专利]衬底加工设备和衬底加工方法

说明书

本发明公开了一种衬底加工设备和衬底加工方法，衬底加工设备包括：卡塞和水槽，卡塞设置于水槽中，卡塞具有边框，在边框内形成多层卡装层，卡装层用于插放衬底；水槽内设置有注水口。衬底加工方法为，对衬底进行抛光，将抛光后的衬底水平地插入卡塞中的卡装层，并向水槽内注清洁水，清洁水浸没卡装层中的衬底；取出卡塞，进入清洗工位，对每层卡装层中的衬底进行清洗；将清洗后的衬底进行干燥。抛光后的衬底水平的插入卡塞的卡装层，又在水槽内注清洁水，浸没卡装层内的衬底，溶解残留在衬底上的抛光液、颗粒等杂质，避免了衬底发生边雾状缺陷问题。同时，该方法可以减少一步干燥处理，提高了加工效率，降低了加工成本。

技术领域

本发明涉及一种衬底加工设备和衬底加工方法。

背景技术

砷化镓(GaAs)材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，与传统的硅半导体材料相比，它具有电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅的5.7倍，因此，广泛应用于高频及无线通讯领域、半导体发光领域以及砷化镓太阳能电池发电领域等。

目前，基于砷化镓的应用产品大多是通过在砷化镓衬底上外延生长功能层薄膜来实现的，所以，砷化镓衬底的质量好坏直接影响到砷化镓器件的品质。

近20年来，砷化镓外延片的边雾状缺陷(Haze，日光灯下所见衬底边缘雾状缺陷，称之为Haze)问题一直困扰着这些衬底加工厂，来自砷化镓外延厂商的投诉也日趋频繁。探索产生边Haze的根本原因并有效解决边Haze问题成为大家不断追寻的目标。

传统的加工流程为，对衬底抛光，然后依次进行下盘，干燥，再清洗，再干燥。

在砷化镓衬底加工过程中，最后的抛光和最终清洗工序决定了衬底表面质量状况。目前，衬底在抛光完成后会从抛光盘上被取下来，衬底通常是以垂直的方式插入卡塞(Cassette)，这时，衬底上残留的水渍，还包含残留的抛光液(slurry)、颗粒(particle)等在重力作用下会沿着衬底边缘而集中于衬底最下部，造成此处边缘位置的污染，另外，衬底插入卡塞后其表面边缘部位不可避免会与卡塞接触，从而在接触位置也会造成污染，而且经过下一步干燥之后，这些位置残留的抛光液、颗粒等几乎不能被后续的清洗工艺去除掉，从而造成衬底在外延后该位置出现Haze。

发明内容

本发明的目的是提供一种衬底加工设备和衬底加工方法，避免了衬底发生边雾状缺陷问题，同时简化了加工步骤，提高效率降低成本。

本发明的衬底加工设备，其包括：卡塞和水槽，所述卡塞设置于所述水槽中，其中，所述卡塞具有边框，在所述边框内形成多层卡装层，所述卡装层用于插放衬底；所述水槽内设置有注水口。

如上所述的衬底加工设备，其中，还包括传感器，所述传感器的感应头朝向所述卡装层。

如上所述的衬底加工设备，其中，所述注水口上设置有水阀，所述水阀与所述传感器电连接。

本发明的衬底加工方法为，对所述衬底进行抛光，将抛光后的所述衬底水平地插入卡塞中的卡装层，并向水槽内注清洁水，所述清洁水浸没所述卡装层中的衬底；取出所述卡塞，进入清洗工位，对每层所述卡装层中的衬底进行清洗；将清洗后的所述衬底进行干燥。

如上所述的衬底加工方法，其中，抛光后的所述衬底，从下到上的依次插入所述卡装层中，所述清洁水随着所述衬底的插入，逐渐加注，浸没最上层的所述衬底。

如上所述的衬底加工方法，其中，传感器获取所述衬底插入的高度，并根据该高度控制所述清洁水的注入量。

抛光后的衬底水平的插入卡塞的卡装层，又在水槽内注清洁水，浸没卡装层内的衬底，溶解残留在衬底上的抛光液、颗粒等杂质，避免了衬底发生边雾状缺陷问题。同时，该方法可以减少一步干燥处理，提高了加工效率，降低了加工成本。

附图说明