[发明专利]使用具有由不含氧材料形成的顶板的室进行蚀刻

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

蚀刻晶圆中的第一氧化物层，其中，在包括与所述晶圆重叠的第一顶板的第一干蚀刻器中实施所述蚀刻，并且所述第一顶板由不含氧材料形成；

在所述第一干蚀刻器中蚀刻位于所述第一氧化物层下方的氮化物层，直到暴露位于所述氮化物层下方的第二氧化物层的顶面；

从所述第一干蚀刻器去除所述晶圆，当去除所述晶圆时，暴露所述第二氧化物层的顶面；

从所述第一干蚀刻器中移出所述第一顶板；

去除所述第一顶板上的表面氧化物层以暴露所述不含氧材料；以及

将所述第一顶板重新安装到所述第一干蚀刻器内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一顶板由硅形成，并且当蚀刻所述第一氧化物层时，所述第一顶板暴露于蚀刻气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一顶板由碳化硅形成，并且当蚀刻所述第一氧化物层时，所述第一顶板暴露于蚀刻气体。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在第二干蚀刻器中蚀刻所述第二氧化物层和位于所述第二氧化物层下方的半导体衬底，其中，所述第二干蚀刻器具有由含氧材料形成的第二顶板。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，除了直接位于所述晶圆上方的材料在所述第一干蚀刻器和所述第二干蚀刻器之间是不同的之外，所述第一干蚀刻器和所述第二干蚀刻器具有相同的设计。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二顶板由石英形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，当在所述第一干蚀刻器中实施所述蚀刻时，所述第一干蚀刻器中的外部单元和保护环也由不含氧材料形成，并且其中，所述外部单元和所述保护环形成环绕所述第一顶板的环。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一顶板、所述外部单元和所述保护环由相同的不含氧材料形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶圆的顶视图中，所述第一顶板延伸超过所述晶圆的边缘。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

将晶圆放置在第一蚀刻室中，其中，所述第一蚀刻室包括与所述晶圆重叠的第一顶板，并且所述第一顶板由不含氧材料形成；

在所述第一蚀刻室中蚀刻所述晶圆的第一氧化物层以暴露位于所述第一氧化物层下方的第一氮化物层；

在所述第一蚀刻室中蚀刻第一氮化物层以暴露第二氧化物层，其中，在所述第一氧化物层和所述第一氮化物层的蚀刻中，所述第一顶板暴露于由相应蚀刻剂气体产生的等离子体；

从所述第一蚀刻室中移出所述晶圆；

在第二蚀刻室中蚀刻所述第二氧化物层以暴露半导体衬底；

蚀刻所述半导体衬底以形成沟槽；以及

用介电材料填充所述沟槽以形成浅沟槽隔离区，

所述方法还包括：在从所述第一蚀刻室移出所述晶圆之后，将所述第一顶板从所述第一蚀刻室中取出；

蚀刻在所述第一顶板上产生的氧化物层；以及

将所述第一顶板重新安装到所述第一蚀刻室内。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：在所述第一蚀刻室中蚀刻第二氮化物层以暴露所述第一氧化物层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一顶板由硅形成。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一顶板由碳化硅形成。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二蚀刻室包括第二顶板，其中，产生的用于蚀刻所述第二氧化物层的等离子体与所述第二顶板接触，并且所述第二顶板由石英形成。