[发明专利]一种用于检测储存硅片氮气柜内部环境颗粒的方法在审

专利信息
申请号: 201711219064.0 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN108051347A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 徐燕华;沈思情;宋洪伟;陈猛 申请(专利权)人: 上海超硅半导体有限公司
主分类号: G01N15/06 分类号: G01N15/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 201604 上海市松*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 检测 储存 硅片 氮气 柜内 环境 颗粒 方法
【说明书】:

发明涉及一种用于检测储存硅片氮气柜内部环境颗粒的方法,所述方法包括如下步骤:(1)检测空白测试硅片的表面颗粒,记录颗粒数量为K1;(2)将测试硅片放置于片盒中,且保留缝隙,得到测试盒;(3)将测试盒放置于氮气柜中,放置设定时间后,取出测试盒;(4)测定步骤(3)取出的测试盒中的测试硅片的表面颗粒,记录颗粒数量为K2;(5)判断:当|K2‑K1|>5时,不合格;当|K2‑K1|≤5时,合格。所述方法操作简单,成本低廉,通过监控测试片,可以获得氮气柜中其他产品的可靠性。

技术领域

本发明属于半导体硅片的储存领域,涉及一种用于检测储存硅片氮气柜内部环境颗粒的方法。

背景技术

硅片是最重要的半导体材料,目前90%以上的芯片和传感器是基于半导体单晶硅片制造而成,而随着半导体制造业的工艺进步,硅片尺寸的扩大和线宽尺寸的不断减小是集成电路行业技术进步的两条主线,因此对硅片的质量要求也越来越严格。硅片的质量参数主要包括:表面颗粒或者缺陷、表面金属含量、体内金属FE含量、少子寿命、扩散长度等参数。在生产加工硅片过程中,要对这些参数严格把控,对后续IC等半导体制造有巨大意义。

硅片表面的颗粒(如灰尘)会影响集成电路中的电学性能,表面的颗粒过多会影响后续的外延加工、器件形成,引起图形缺陷、外延缺陷、器件失效、影响布线的完整性,进而导致产品质量损失,造成产品成品率低。所以需要严格把控硅片质量过程中的颗粒情况。

半导体硅片经过加工、清洗、检测,当颗粒数满足要求会装盒(如片盒),为防止后续出货过程中出现硅片的返颗粒,返雾现象,会在合盖前置于氮气柜中干燥数小时。但由于大部分氮气柜设计都为全封闭环境,且无自净功能,故内部可能积聚灰尘,这些灰尘极可能粘附在存储品上。一般氮气柜的设计上面缺少内部环境颗粒监控的装置;若如果通过改进氮气柜的结构增加环境颗粒检测仪进行监控,成本上就会增加,另外还有一个弊端,外加上去的环境颗粒检测仪不能进行内校,需要外部送检,人力物力成本更会增加。从降本的角度,利用自身资源解决问题。

本领域需要开发一种能够检测氮气柜内部环境的颗粒度的方法,所述方法操作简单,无需对氮气柜进行设备改进。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种用于检测储存硅片氮气柜内部环境颗粒的方法,所述方法包括如下步骤:

(1)检测空白测试硅片的表面颗粒,记录颗粒数量为K1

(2)将测试硅片放置于片盒中,且保留缝隙,得到测试盒;

(3)将测试盒放置于氮气柜中,放置设定时间后,取出测试盒;

(4)测定步骤(3)取出的测试盒中的测试硅片的表面颗粒,记录颗粒数量为K2

(5)判断:当|K2-K1|>5时,不合格;当|K2-K1|≤5时,合格。

本发明通过在氮气柜中放置测试盒,所述测试盒为装载有空白测试硅片的片盒组成,且保持与硅片在氮气柜中的放置状态相同,如相同的片盒,相同的缝隙大小等,在放置设定时间后,检测测试硅片表面的颗粒数量,与之前空白测试硅片上的颗粒数量作比较,判定前后差值在5以上是为不合格。

本发明对于片盒的规格不做具体限定,任何能够用于硅片储存的片盒均可用于本发明。本发明所述测试盒的片盒规格优选与硅片储存的片盒规格相同。

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