[发明专利]硅片湿刻装置在审
申请号: | 201711220851.7 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN107958858A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 陈五奎;刘强;徐文州 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 装置 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池片的湿刻领域,尤其是一种硅片湿刻装置。
背景技术
众所周知的:太阳能光伏发电以其清洁、源源不断、安全等显著优势,已成为保障我国能源供应战略安全,大幅减少排放和保证可持续发展的重大战略举措。而利用太阳能发电,离不开太阳能电池片,从而离不开生产电池片的重要工序——湿刻。
现有技术中,如中国发明专利申请,申请号201410699196.8公开了一种太阳能电池片的湿法蚀刻方法及装置,该装置包括依次放置的蚀刻槽、第一清洗槽、碱洗槽、第二清洗槽、酸洗槽及第三清洗槽;第一清洗槽的入口及出口处分别装设有第一水刀及第二水刀;该装置还包括第一储液槽及第二储液槽,分别通过连接管道与第三清洗槽及第二水刀相连,当第三清洗槽中的液体达到预设水位时,排放多余的液体至第二储液槽,第二储液槽为第二水刀供液;第一储液槽通过连接管道分别与第一清洗槽及蚀刻槽相连,第一清洗槽为第一水刀供液,当第一清洗槽中的液体达到预设水位时,排放多余的液体至第一储液槽,第一储液槽中的液体用于为蚀刻槽补水及配液。虽然上述一种太阳能电池片的湿法蚀刻方法及装置可以有效减少含氮废水的排放,降低生产成本。但是上述太阳能电池片的湿法蚀刻装置无法实现时刻化学试剂的自动添加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够对湿刻工艺过程中化学试剂实现自动添加的硅片湿刻装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:硅片湿刻装置,包括储水箱、HF储存箱、HNO3储存箱以及沿硅片输送方向依次布置的去PSG槽、刻蚀槽、第一清洗槽、碱洗槽、酸中和槽、第二清洗槽、酸洗槽、第三清洗槽;
所述储水箱分别与刻蚀槽、第一清洗槽以及第二清洗槽通过带流量计的电磁阀连通;
所述HF储存箱分别与去PSG槽、刻蚀槽通过带流量计的电磁阀连通;
所述HNO3储存箱分别与刻蚀槽、酸洗槽通过带流量计的电磁阀连通。
进一步的,所述HF储存箱通过带流量计的电磁阀与酸洗槽连通。
进一步的,所述HF储存箱通过带流量计的电磁阀与酸中和槽连通。
进一步的,所述的硅片湿刻装置,还包括HCL储存箱,所述HCL储存箱通过带流量计的电磁阀与酸中和槽连通。
本发明的有益效果是:本发明所述的硅片湿刻装置由于包括储水箱、HF储存箱、HNO3储存箱,所述储水箱分别与刻蚀槽、第一清洗槽以及第二清洗槽通过带流量计的电磁阀连通;所述HF储存箱分别与去PSG槽、刻蚀槽通过带流量计的电磁阀连通;所述HNO3储存箱分别与刻蚀槽、酸洗槽通过带流量计的电磁阀连通;因此,能够实现对应工艺槽内相应液体化学试剂的自动添加;并且保证添加的计量,保证工艺槽内相应溶液的配比。
其次,由于在碱洗槽和第二清洗槽之间设置有酸中和槽,并且在进行碱洗后在酸中和槽进行酸中和,因此能够保证硅片在进行碱洗后通过酸中和以及在第二清洗槽内进行水洗,从而使得硅片为中性,在酸洗槽能进行酸洗时,取出金属杂质使得硅片的更加容易脱水,保证脱水性的稳定控制。
附图说明
图1为本发明实施例中硅片湿刻装置的结构示意图;
图中标示:100-去PSG槽,101-刻蚀槽,102-第一清洗槽,103-碱洗槽,104-酸中和槽,105-第二清洗槽,106-酸洗槽,107-第三清洗槽,200-HF储存箱,300-储水箱,400-HNO3储存箱,500-带流量计的电磁阀。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
如图1所示,本发明所述的硅片湿刻装置,包括储水箱300、HF储存箱200、HNO3储存箱400以及沿硅片输送方向依次布置的去PSG槽100、刻蚀槽101、第一清洗槽102、碱洗槽103、酸中和槽104、第二清洗槽105、酸洗槽106、第三清洗槽107;
所述储水箱300分别与刻蚀槽101、第一清洗槽102以及第二清洗槽105通过带流量计的电磁阀500连通;
所述HF储存箱200分别与去PSG槽100、刻蚀槽101通过带流量计的电磁阀500连通;
所述HNO3储存箱400分别与刻蚀槽101、酸洗槽106通过带流量计的电磁阀500连通。
应用过程中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造