[发明专利]一种掺锑纳米氧化锡粉体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201711221442.9 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107758741B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 韦建初;韦竣严;兰岱龙;何正军;陆宏卫;曹应科;卢忠讲 申请(专利权)人: 广西生富锑业科技股份有限公司
主分类号: C01G30/00 分类号: C01G30/00;C01G19/02;B82Y30/00
代理公司: 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11466 代理人: 谭月萍;黄启行
地址: 547000 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 纳米氧化锡粉体 掺锑 制备 室温超声 前驱体 沉淀 震荡 丁烷四羧酸 磷酸二氢铵 导电性能 二乙醇胺 分散性好 粒径分布 平均粒径 乙醇溶液 电阻率 溶液pH 水中 锑盐 锡盐 煅烧 加热 洗涤 离子
【说明书】:

发明公开了一种掺锑纳米氧化锡粉体的制备方法,由以下步骤组成:(1)将锑盐和锡盐混合后溶于乙醇溶液中,室温超声震荡10‑20min,得到溶液A;将丁烷四羧酸、磷酸二氢铵依次溶于去离子水中,得到溶液B;(2)将溶液A和溶液B混合后,室温超声震荡5‑10min,然后在搅拌状态下,添加碱和二乙醇胺,使溶液pH为8‑9,然后加热至65‑75℃,反应2‑4h,得到沉淀前驱体;(3)将沉淀前驱体洗涤、干燥、煅烧,即得所掺锑纳米氧化锡粉体。本发明制备得到的掺锑纳米氧化锡粉体,粒径分布均匀,分散性好,制备得到的掺锑纳米氧化锡粉体平均粒径小于120nm,电阻率小于25Ω·cm,比表面积在4‑6m2/g,导电性能良好。

技术领域

本发明涉及纳米材料制备技术领域,尤其涉及一种掺锑纳米氧化锡粉体的制备方法。

背景技术

节能和环保成为当今全球关注的话题,节能环保、高科技含量的产品和材料逐渐受到人们的青睐。纳米氧化锡锑(ATO)是一种具有宽能隙的n型半导体材料,具有宏观尺寸物体所没有的光学性能和物理性质。它在紫外光区、可见光区和近红外光区依次表现出高的吸收率、透过率和反射率,将其添加到各类涂层之中,能够制得透明隔热防静电的多功能型材料,从而广泛应用于建筑、电子通讯和催化等节能环保领域。

目前制备纳米氧化锡锑的方法中主要有液相共沉淀法,其具有生产工艺简单、反应条件易控制和易于工业化生产等优点。但是,其也存在着生产的纳米粉体纯度不高,粒子间易团聚,粒径分布范围比较宽等缺点。而且,多数液相共沉淀法工艺以水为反应介质,导致纳米粉体的性能存在明显的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于:针对上述存在的问题,提供一种纯度高、粒径分布均匀、团聚小的掺锑纳米氧化锡粉体的制备方法,该制备方法工艺简单、节能环保,易于工业化大规模生产。

为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:

一种掺锑纳米氧化锡粉体的制备方法,由以下步骤组成:

(1)将锑盐和锡盐混合后溶于乙醇溶液中,室温超声震荡10-20min,得到溶液A;将丁烷四羧酸、磷酸二氢铵依次溶于去离子水中,得到溶液B;

(2)将溶液A和溶液B混合后,室温超声震荡5-10min,然后在搅拌状态下,添加碱和二乙醇胺,使溶液pH为8-9,然后加热至65-75℃,反应2-4h,得到沉淀前驱体;

(3)将沉淀前驱体洗涤、干燥、煅烧,即得所述掺锑纳米氧化锡粉体。

较佳地,所述溶液A及溶液B的质量比为1:0.05-0.1。

较佳地,所述锑盐及锡盐的摩尔比为1:6-8;所述锑盐为三氯化锑或五氯化锑,所述锡盐为结晶四氯化锡或结晶氯化亚锡。

较佳地,所述溶液B中,丁烷四羧酸的浓度为0.5-1.5mol/L、磷酸二氢铵的浓度为0.05-0.1mol/L。

较佳地,所述碱为氨水或氢氧化钠水溶液。

较佳地,所述碱、二乙醇胺与溶液A的质量比为0.2-0.7:0.01-0.03:2。

较佳地,所述干燥的温度为55-65℃,时间为2-4h。

较佳地,所述煅烧的具体过程为:将干燥后的物料放入马弗炉中,并以5-10℃/min的升温速度升温至450-550℃进行煅烧,煅烧的时间为3-4h。

综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:

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