[发明专利]一种像素界定层、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201711221727.2 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108010946B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 界定 阵列 显示装置 | ||
本发明公开了一种像素界定层、阵列基板及显示装置,该像素界定层包括第一像素界定层和设置在第一像素界定层之上的第二像素界定层,像素界定层被划分为显示区域及显示区域外侧的辅助区域;辅助区域中的第二像素界定层的宽度小于显示区域中的第二像素界定层的宽度,使得辅助区域中的第二像素界定层之间的开口区域大于显示区域中的第二像素界定层之间的开口区域;其中,像素界定层内设置有与像素子单元对应的开口区间且至少一个像素子单元形成一个像素单元;宽度为同一像素单元中相邻像素子单元之间的连线方向的宽度。所述像素界定层、阵列基板及显示装置能够降低边缘区域中辅助像素的数目,进而在保证成膜均匀性的情况下实现窄边框设计。
技术领域
本发明涉及显示器相关技术领域,特别是指一种像素界定层、阵列基板及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)相对于LCD具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。有机电致发光器件(OLED)薄膜沉积方法主要有真空蒸镀和溶液制程两种。在喷墨打印工艺中,喷墨打印边缘区域中溶剂的干燥速率比显示区域快,而为了保证像素之间的成膜均匀性以及相应器件亮度的均匀性,一般需要在边缘区域设置辅助像素,也即在辅助像素内打印与显示区域相同的墨水,但是在器件点亮时辅助像素不会发光。
为了满足上述设计需求,通常需要在边缘区域设置多个辅助像素以使得成膜均匀,但是这样同样会使得边缘区域对应的边框占用面积较大,不利于当前窄边框的设计需求。
因此,在实现本申请的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:当前的辅助像素结构设计在实现成膜均匀性的条件下难以满足窄边框的设计需求。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出一种像素界定层、阵列基板及显示装置,能够降低边缘区域中辅助像素的数目,进而在保证成膜均匀性的情况下实现窄边框设计。
基于上述目的,第一方面,本发明提供了一种像素界定层,包括第一像素界定层和设置在所述第一像素界定层之上的第二像素界定层,所述像素界定层被划分为显示区域以及位于所述显示区域外侧的辅助区域;所述辅助区域中的第二像素界定层的宽度小于所述显示区域中的第二像素界定层的宽度;
其中,所述像素界定层内设置有与像素子单元对应的开口区间且至少一个像素子单元形成一个像素单元;所述第二像素界定层的宽度为同一像素单元中相邻像素子单元之间的连线方向的宽度。
可选的,所述辅助区域中的第一像素界定层的宽度和高度与所述显示区域中的第一像素界定层的宽度和高度均相等。
可选的,所述显示区域中的第一像素界定层的宽度与第二像素界定层的宽度之差的取值范围为1-3um;所述辅助区域中的第一像素界定层的宽度与第二像素界定层的宽度之差的取值范围为3-10um。
可选的,所述显示区域中的第一像素界定层的长度与第二像素界定层的长度之差的取值范围为1-3um;所述辅助区域中的第一像素界定层的长度与第二像素界定层的长度之差的取值范围为3-20um;其中,所述长度为相邻像素单元之间的连线方向的长度,且长度方向与宽度方向垂直。
可选的,所述第一像素界定层的宽度大于等于15um。
可选的,所述第一像素界定层为具有亲液特性的无机像素界定层,所述第二像素界定层为具有疏液特性的有机像素界定层。
可选的,所述无机像素界定层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种;所述有机像素界定层的材料包括氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯、聚硅氧烷、有机硅树脂中的一种或多种。
第二方面,本申请还提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括上述任一项所述的像素界定层。
第三方面,本申请还提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的