[发明专利]一种钨钛合金的烧结工艺有效
申请号: | 201711221780.2 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107971485B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 陈思妤;李金龙;陈斌;干勐俊;林楠 | 申请(专利权)人: | 宁波市鄞州隆茂冲压件厂 |
主分类号: | B22F1/00 | 分类号: | B22F1/00;B22F3/10;B22F3/093;B22F3/03 |
代理公司: | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人: | 洪珊珊 |
地址: | 315191 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钛合金 烧结 工艺 | ||
本发明涉及一种钨钛合金的烧结工艺,属于合金制备技术领域。所述烧结工艺包括以下步骤:S1、将原料混合,其中原料为钨粉、氢化钛、氢化锆以及氧化锶,随后添加PVA水溶液进行水基球磨,球磨时间2‑5h;S2、将上述混合粉末装入模具施以200‑400MPa压力成型,得成型坯体;S3、将上述成型坯体在高温真空炉内氩气保护下烧结,烧结温度为1800‑2000℃,炉内温度达到烧结温度后保温烧结2‑5h;S4、高温烧结后降温至‑60~‑90℃,保持温度施加纵向磁场处理100‑150min。
技术领域
本发明涉及一种钨钛合金的烧结工艺,属于合金制备技术领域。
背景技术
钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能,已被广泛应用于特种钢、硬质合金、热强和耐磨合金、触头材料和电子材料等领域;其中W/Ti合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能和抗氧化性能,已被应用于Al、Cu与Ag布线的扩散阻挡层。WTi合金作为铜布线扩散阻挡层的溅射靶材,在组织和性能方面有诸多要求,大量实验结果表明WTi合金组织的晶粒尺寸和富钛相含量是影响阻挡层性能的主要因素。已有研究表明:溅射靶材晶粒尺寸越小,富钛相含量越少,制备的WTi薄膜性能也越好。靶材的晶粒越细小、均匀,富态相含量越少,溅射速率越快,溅射淀积薄膜的厚度均匀性越好,污染粒子数目越少。因此控制WTi合金靶材的晶粒尺寸和相组成是获得优良薄膜的关键因素。
制备方法及工艺参数是影响WTi合金的靶材组织性能的关键因素。目前为了获得组织性能良好的WTi合金靶材,主要有热等静压法、真空或惰性气体烧结法、热爆炸固结燃烧法、电火花烧结法(SPS)等。目前真空烧结法较难使钨钛合金晶粒细化,钨钛合金中的硬质相分布不均匀,获得的钨钛合金硬度和韧性有限,限制其应用。
发明内容
针对现有技术钨钛合金存在的缺点,本发明提供一种钨钛合金的烧结工艺,细化钨钛组织晶粒、均匀分布组织各相,使获得的钨钛合金具有良好力学性能。
本发明的上述目的可通过下列技术方案来实现:一种钨钛合金的烧结工艺,所述烧结工艺包括以下步骤:
S1、将原料混合,其中原料为钨粉、氢化钛、氢化锆以及氧化锶,随后添加PVA水溶液进行水基球磨,球磨时间2-5h;
S2、将上述混合粉末装入模具施以200-400MPa压力成型,得成型坯体;
S3、将上述成型坯体在高温真空炉内氩气保护下烧结,烧结温度为1800-2000℃,炉内温度达到烧结温度后保温烧结2-5h;
S4、高温烧结后降温至-60~-90℃,保持温度施加纵向磁场处理100-150min。
本发明以钨粉、氢化钛、氢化锆以及氧化锶作为钨钛合金的原料,其中锆在钨钛合金中主要起固溶强化作用,与钛一起还起到稳定β相的作用,可提高合金室温及高温的抗拉强度和耐热性能。原料中的氧化锶能明显降低烧结温度,形成液相烧结,有助于降低孔隙率,锶易吸附在固/液界面的前沿形成富锶的吸附膜,降低晶粒生长速度,细化晶粒,提高烧结致密度和钨钛合金的机械性能。在球磨过程中通过添加适量的PVA水溶液,不仅仅可以起到粘结剂的作用,还可以在在一定程度上作为碳源,而且PVA作为一种极性材料,溶于水溶液,对环境污染小,易降解,并且与原材料表面具有良好的亲和力,改善研磨时各原料粉体之间的相容性,促进材料粉体互容均化。高温烧结之后,迅速降温至-60~-90℃,在低温条件下对合金进行纵向磁场处理,低温条件极大地保留了烧结处理后的过饱和固溶体组织,凝固的组织在低温磁场作用下,晶粒逐渐细化,从而获得更精细的晶粒组织,且晶粒组织均匀取向,钨钛合金组织中的各相均匀分布,最终使合金的综合性能得到大幅度提高。
作为优选,所述S4步骤中,以30~45℃/s的速度降至-60~-90℃。坯体在高温烧结后,快速降低到零下温度,组织晶粒快速凝固,实现晶粒的均匀取向。
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