[发明专利]大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法

权利要求书

1.一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：

a.将含烧结助剂的氮化铝浆料通过流延成型工艺制成素坯，将素坯分切成一定尺寸的陶瓷生坯；

b.生坯按设定的叠片方式进行叠片设置，再将叠好的生坯进行等静压处理；

c.等静压好的生坯置于高温烘箱中，在一定温度下用重物进行压平处理，完成氮化铝陶瓷基板成型工艺；

d.将经过压平处理后的生坯放入排胶炉中，进行排胶处理；

e.将排完胶的生坯再放到匣钵中，将匣钵连同装载的生坯一并置于高温炉中，进行烧结工艺处理，得到表面平滑的氮化铝陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，烧结助剂为氧化镝、氧化钇、氟化钙中的任意一种或任意几种的混合助剂。

3.根据权利要求1所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤a中，将素坯分切成面积尺寸为(100～150mm)×(100～150mm)的陶瓷生坯片。

4.根据权利要求1所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤b中，所述叠片方式为正反上下交错的方式，形成包含“正面-反面”、“正面-反面-正面”或“反面-正面-反面”的堆叠形式的叠片设置，叠片层数为2～30层。

5.根据权利要求4所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤b中，叠片层数为4-20层。

6.根据权利要求1所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，压平处理是将生坯片置于重物下，在80～120℃的温度下，压平处理12～48小时。

7.根据权利要求1所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤d中，排胶处理是将经过压平处理后的生坯放入在氮气炉或真空炉中，进行排胶12～48小时，控制最高排胶温度为800～1100℃。

8.根据权利要求1所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤e中，所述匣钵采用抛光了的氮化硼匣钵。

9.根据权利要求1所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤e中，所述烧结工艺是将经过排完胶的生坯置入氮气炉中，控制烧结时间为2～24小时，控制最高烧结温度为1700～1900℃。

10.根据权利要求9所述大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤e中，控制烧结时间为4～6小时，控制最高烧结温度为1750～1800℃。