[发明专利]线距标准样片的制备方法

权利要求书

1.一种线距标准样片的制备方法，其特征在于，包括：

将衬底进行第一预处理，去除所述衬底表面的杂质；

在经过所述第一预处理的衬底的第一区域的上表面生长氮化硅层；

刻蚀所述氮化硅层至所述衬底，在所述第一区域形成氮化硅图形结构，其中，所述氮化硅图形结构为多个不同周期尺寸的氮化硅光栅结构和/或氮化硅格栅结构；

将所述衬底进行第二预处理，去除所述衬底表面的杂质；

在经过所述第二预处理的衬底的第二区域的上表面生长二氧化硅层；其中，所述第一区域与所述第二区域无重叠；

刻蚀所述二氧化硅层至所述衬底，在所述第二区域形成二氧化硅图形结构，其中，所述二氧化硅图形结构为多个不同周期尺寸的二氧化硅光栅结构和/或二氧化硅格栅结构；在已形成所述二氧化硅图形结构的衬底的第二区域的上表面生长金属层；

所述在经过所述第一预处理的衬底的第一区域的上表面生长氮化硅层包括：在经过所述第一预处理的衬底的第二区域的上表面形成第一保护层；通过化学气相沉积法在形成所述第一保护层的衬底的上表面淀积50纳米至100纳米的氮化硅层；

所述在经过所述第二预处理的衬底的第二区域的上表面生长二氧化硅层包括：在经过所述第二预处理的衬底的第一区域的上表面形成第二保护层；通过热氧化工艺在形成所述第二保护层的衬底的上表面生长80纳米至120纳米的二氧化硅层；

所述将衬底进行第一预处理包括：将所述衬底放入温度为80℃至90℃的第一清洗液中清洗10分钟至15分钟；其中，所述第一清洗液为蒸馏水、氨水和过氧化氢的混合溶液，蒸馏水、氨水和过氧化氢的体积比为4:1:1；将所述衬底用蒸馏水冲洗至中性；将所述衬底在氢氟酸溶液中清洗2分钟至5分钟；将所述衬底用蒸馏水冲洗至中性；将所述衬底放入温度为80℃至90℃第二清洗液中清洗10分钟至15分钟；其中，所述第二清洗液为蒸馏水、盐酸和过氧化氢的混合溶液，蒸馏水、盐酸和过氧化氢的体积比为4:1:1；将所述衬底用蒸馏水冲洗至中性；将所述衬底用氮气吹干；

所述将所述衬底进行第二预处理包括：将所述衬底放入温度为80℃至90℃的第一清洗液中清洗10分钟至15分钟；其中，所述第一清洗液为蒸馏水、氨水和过氧化氢的混合溶液，蒸馏水、氨水和过氧化氢的体积比为4:1:1；将所述衬底用蒸馏水冲洗至中性；将所述衬底在氢氟酸溶液中清洗2分钟至5分钟；将所述衬底用蒸馏水冲洗至中性；将所述衬底放入温度为80℃至90℃第二清洗液中清洗10分钟至15分钟；其中，所述第二清洗液为蒸馏水、盐酸和过氧化氢的混合溶液，蒸馏水、盐酸和过氧化氢的体积比为4:1:1；将所述衬底用蒸馏水冲洗至中性；将所述衬底用氮气吹干。

2.如权利要求1所述的线距标准样片的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述氮化硅层至所述衬底，在所述第一区域形成氮化硅图形结构，包括：

在所述氮化硅层的上表面涂覆第一光刻胶；

通过电子束光刻工艺进行光刻，在所述第一区域形成第一光刻胶图形结构；

通过刻蚀工艺刻蚀未被所述第一光刻胶掩蔽的氮化硅层，刻蚀至所述衬底，形成多个周期尺寸为200纳米至500纳米的氮化硅光栅结构和/或氮化硅格栅结构；

去除剩余的所述第一光刻胶；

去除所述第一保护层和所述第一保护层上表面的氮化硅层。

3.如权利要求1所述的线距标准样片的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述二氧化硅层至所述衬底，在所述第二区域形成二氧化硅图形结构，包括：

在所述二氧化硅层的上表面涂覆第二光刻胶；

通过投影光刻工艺进行光刻，在所述第二区域形成第二光刻胶图形结构；

通过刻蚀工艺刻蚀未被所述第二光刻胶掩蔽的二氧化硅层，刻蚀至所述衬底，形成多个周期尺寸分别为1微米至10微米的二氧化硅光栅结构和/或二氧化硅格栅结构；

去除剩余的所述第二光刻胶。

4.如权利要求3所述的线距标准样片的制备方法，其特征在于，所述在已形成所述二氧化硅图形结构的衬底的第二区域的上表面生长金属层包括：

在已形成所述二氧化硅图形结构的衬底的上表面溅射10纳米至20纳米的金属铬层；

去除所述第二保护层、所述第二保护层上表面的二氧化硅层和所述第二保护层上表面的金属铬层。

5.如权利要求1所述的线距标准样片的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述氮化硅图形结构对应位置形成第一对准标记；

在所述二氧化硅图形结构对应位置形成第二对准标记。