[发明专利]光电半导体元件及其制法

权利要求书

1.一种光电半导体组件，其特征在于，该光电半导体组件包含：

基板；

光电系统，位于该基板之上；

阻障层，位于该光电系统之上，其中该阻障层接触该光电系统；及

电极，位于该阻障层之上，

其中该光电半导体组件于室温下具有一第一顺向电压及于高于室温的温度下进行退火处理后具有一第二顺向电压；其中该第二顺向电压与该第一顺向电压的差异值小于0.2伏特。

2.一种光电半导体组件，其特征在于，该光电半导体组件包含：

基板；

光电系统，位于基板之上，其中该光电系统包含第一导电型半导体层、转换单元及第二导电型半导体；

阻障层，位于光电系统之上，其中该阻障层的材料包含金属氮化物，且该阻障层接触该第二导电型半导体层；及

电极，位于阻障层之上。

3.如权利要求1所述的光电半导体组件，其中该阻障层的材料包含金属氮化物。

4.如权利要求2或3所述的光电半导体组件，其中该金属氮化物包含TiNx。

5.如权利要求1所述的光电半导体组件，其中该退火处理该光电半导体组件的温度大于150℃。

6.如权利要求1或2所述的光电半导体组件，其中该基板包含一导电基板。

7.如权利要求1或2所述的光电半导体组件，其中该光电系统的材料包含一种或一种以上的元素选自镓(Ga)，铝(Al)，铟(In)，砷(As)，磷(P)，氮(N)以及硅(Si)所构成群组。

8.如权利要求1所述的光电半导体组件，其中该第一顺向电压与该第二顺向电压由350mA电流注入该光电半导体组件所测得。

9.如权利要求1所述的光电半导体组件，其中该阻障层的厚度不小于30埃。

10.如权利要求6所述的光电半导体组件，其中该光电系统与该导电基板之间包含一过渡层。