[发明专利]一种纳米结构的半导体

权利要求书

1.一种纳米结构的半导体，本发明以氧化铟、氧化锡、及二氧化钛等金属氧化物半导体为研究主体，以通过半导体材料纳米结构化提高其性能为目的，纳米结构与材料气敏、光催化性能之间的关系，通过在In2O3/SnO2复合网状纳米纤维（ISc）上负载La0.7Sr0.3FeO3纳米粒子获得了一种具有抗湿能力的三甲胺气体（TMA）敏感材料（LISc）。

2.根据权利要求1所述的当湿度达到85%时，此传感材料制成的传感器对1ppm TMA仍有很灵敏的响应，灵敏度可以达到6，经过60天连续测试后，我们可以看出在不同浓度的TMA气氛中，LISc传感器的响应随时间延长几乎不变，说明其稳定性很高，高效、灵敏、稳定的TMA敏感性能主要得益于所得复合材料的异质结构和多孔网状结构。

3.根据权利要求1所述的采用异丙醇和甘油的混合溶剂，通过调控实验参数分别合成了球状铟甘油盐前驱体和由纳米片组装的多级花状的空心铟甘油盐前驱体，所得前驱体经过热处理（在空气气氛中350°C煅烧2h）即可得到对应的由约30nm粒子组成的纳米球状和由薄片组装的多级花状空心In2O3纳米材料。

4.根据权利要求1所述的以异丙醇钛和甘油为反应原料，在无模板的条件下，以溶剂热法合成了多级花状钛甘油盐，通过调变异丙醇钛的浓度及异丙醇混合溶剂的用量来调控钛甘油盐前驱体的形貌，我们发现异丙醇钛的浓度及异丙醇混合溶剂的用量对前驱体的形貌有很大的影响。