[发明专利]一种缓解MLC闪存读干扰问题的方法在审
| 申请号： | 201711225482.0 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108109664A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 许毅;姚兰;郑春阳 | 申请（专利权）人： | 深圳忆联信息系统有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 董红海 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 擦除状态 写入数据 闪存 编程 有效位 读取 旁路电压 再编程 缓解 与非 写入 | ||
1.一种缓解MLC闪存读干扰问题的方法,存储单元由多个字线wordline组成,每个wordline分为:最低有效位LSB和最高有效位MSB，单个wordline的编程必须先编程wordline的所有LSB，然后再编程wordline的整个MSB,其特征在于根据读取的wordline所处的状态分别给与wordline相邻的wordline设置不同的旁路电压pass_through，wordline根据编程的程度分为3种状态，分别如下：擦除状态，为wordline的LSB和MSB都没有写入任何数据；非完全状态，为wordline的LSB写入数据，但MSB没有写入数据；完全状态，为wordline的LSB和MSB都已写入数据。
2.根据权利要求1所述的缓解MLC闪存读干扰问题的方法,其特征在于根据wordline各个状态可能的最大电压阀值确定对应状态下的给wordline相邻的wordline设置的旁路电压pass_through，所述旁路电压pass_through分别略大于各个状态可能的最大电压阀值。
3.根据权利要求1所述的缓解MLC闪存读干扰问题的方法，其特征在于各个状态的旁路电压pass_through由FLASH芯片制造时通过实验获取各个状态可能的最大电压阀值，并记录最大值，生成各个状态推荐的旁路电压pass_through，并记录在芯片中，FLASH芯片自动根据所处的状态选择对应的记录的推荐的旁路电压pass_through。
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