[发明专利]一种玻璃减薄前的清洗液的制作方法在审

专利信息
申请号: 201711225508.1 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107955744A 公开(公告)日: 2018-04-24
发明(设计)人: 郑资来;毛先国 申请(专利权)人: 惠州市清洋实业有限公司
主分类号: C11D7/04 分类号: C11D7/04;C11D7/06;C11D7/26;C11D7/34;C11D7/60;C11D1/22;C11D3/04;C11D3/20;C11D3/60;C03C23/00
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 代理人: 王华强
地址: 516032 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 玻璃 减薄前 清洗 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及玻璃减薄清洗液的技术领域,具体地,涉及一种玻璃减薄前的清洗液的制作方法。

背景技术

目前,玻璃基板一般通过化学蚀刻的方法进行减薄处理,在化学蚀刻的工艺中,其工艺过程一般为封胶、减薄及研磨,通过封胶将玻璃基板的边缘进行密封处理,防止后续蚀刻药剂进入玻璃基板内部而影响产品性能。封胶时通过光固化使胶体固化,此时会有胶液不可避免地残留于玻璃基板表面,产生凸起,如不去除会导致后续蚀刻减薄的环节无法均匀蚀刻,最后还需要增加抛光研磨的工序,影响生产效率,所以需要在减薄前进行清洗。除了封胶时的残留胶液,玻璃基板在来料和生产加工中可能会具有其他杂质,需要在减薄工序前进行清洗。目前市面上直接购买的玻璃表面清洗液无法将玻璃表面的杂质清洗干净,影响后续的生产环节,从而影响产品的良率。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明提供一种玻璃减薄前的清洗液的制作方法。

本发明公开的一种玻璃减薄前的清洗液的制作方法,包括以下步骤:

准备原料,包括质量占比为3%~5%的弱碱清洗剂、10%~15%的氢氧化钠溶液及0.3%~0.5%的柠檬酸,余量为水;

将氢氧化钠溶液和柠檬酸分别加入水中,搅拌混合,当溶液温度升温至40℃时,向溶液中加入弱碱清洗液,得到混合溶液;

将混合溶液搅拌30分钟,加热混合溶液,当温度达到45~55℃时,制得清洗液。

根据本发明的一实施方式,上述弱碱清洗剂含有活性剂苯磺酸钠。

与现有技术相比,本发明可以获得包括以下技术效果:

通过本申请的玻璃减薄前的清洗液将玻璃基板在减薄前进行清洗,去除玻璃基板表面的油性的有机物质和残胶等杂质具有强清洁力的同时不损坏玻璃基板,清洗后的玻璃基板在减薄工序中的表观不良率降低,提高生产效率及产品质量。

具体实施方式

以下将揭露本申请的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本申请。也就是说,在本申请的部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。

另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。

以下通过实施例对本发明的玻璃减薄前的清洗液作进一步说明。

首先配置清洗液,准备质量占比为3%~5%的弱碱清洗剂、浓度为10%~15%的氢氧化钠溶液及0.3%~0.5%的柠檬酸与1200L水,将水加入配液槽中,再将氢氧化钠溶液和柠檬酸分别加入配液槽中,搅拌混合,氢氧化钠溶液和柠檬酸发生中和反应,放出热量,配液槽内溶液的温度升温至40℃。将弱碱清洗剂加入配液槽中混合,搅拌30分钟,混合充分后,将配液槽加热升温,使配液槽内的温度处于45~55℃,即制得清洗液。其中,弱碱清洗剂的主要成分为弱碱,还含有活性剂苯磺酸钠。

根据上述范围,分别调整各组分的含量和加热温度,配置三组清洗液,如下表1、表2及表3所示,每组清洗液中的组分含量进行调整,将相同供应商提供的相同型号的玻璃基板分别放入各组清洗液中进行清洗。选取龙腾电子有限公司生产的型号为C040的TFT玻璃基板作为测试样品。清洗完毕后,分别将各组清洗后的玻璃基板取出并进行化学蚀刻减薄,逐一检查各组玻璃基板蚀刻后的表观是否正常或存在凸点、凹点等不良现象。

表1

表2

表3

从表中的数据可知,通过使用本申请配置的清洗液清洗玻璃基板,经清洗后的玻璃基板再进行蚀刻减薄,不良缺陷的占比极少,玻璃基板的直通率高达约90%,无需后续抛光研磨,节省了生产工序,提高了生产效率,同时提高了产品质量。

综上所述,通过本申请的玻璃减薄前的清洗液将玻璃基板在减薄前进行清洗,去除玻璃基板表面的油性的有机物质和残胶等杂质具有强清洁力的同时不损坏玻璃基板,清洗后的玻璃基板在减薄工序中的表观不良率降低,提高生产效率及产品质量。

上所述仅为本发明的实施方式而已,并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理的内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包括在本发明的权利要求范围之内。

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