[发明专利]芯片封装方法及封装结构在审
申请号: | 201711227089.5 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108231606A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | PEP创新私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京智信四方知识产权代理有限公司 11519 | 代理人: | 宋海龙 |
地址: | 新加坡加*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装芯片 载板 保护层 芯片封装 包封层 封装结构 贴装 背面 包封材料 电路结构 朝上 焊垫 剥离 | ||
1.一种芯片封装方法,包括:
在待封装芯片的正面形成保护层;
将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于第一载板上,所述待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述第一载板;
形成第一包封层,所述第一包封层形成在所述待封装芯片背面以及露出的所述第一载板上;
剥离所述第一载板,露出所述保护层。
2.如权利要求1所述的方法,其中,在待封装芯片的正面形成保护层,包括:
在晶圆正面形成保护层;
将形成有保护层的所述晶圆切割成多个所述待封装芯片。
3.如权利要求2所述的方法,其中,将形成有保护层的所述晶圆切割成多个所述待封装芯片之前,还包括:
在所述保护层上与多个所述待封装芯片的焊垫相对应的位置处形成保护层开口。
4.如权利要求3所述的方法,在所述保护层上与多个所述待封装芯片的焊垫相对应的位置处形成保护层开口之后,还包括:
在所述保护层开口中填充导电介质,使得导电介质与所述待封装芯片的焊垫电连接。
5.如权利要求1所述的方法,其中,将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于第一载板上,包括:
在所述第一载板上形成粘接层;
将所述待封装芯片通过所述粘接层粘贴于所述第一载板的预定位置处。
6.如权利要求1所述的方法,其中,剥离所述第一载板,暴露出所述保护层之后,还包括:
在所述保护层上形成保护层开口,所述保护层开口位于所述待封装芯片的焊垫处;
在所述保护层上形成第一再布线层,所述第一再布线层通过所述保护层开口与所述待封装芯片上的焊垫电连接。
7.如权利要求3-4任一项所述的方法,剥离所述第一载板,暴露出所述保护层之后,还包括:
在所述保护层以及露出的所述第一包封层上形成第一再布线层,所述第一再布线层通过所述保护层开口与所述待封装芯片上的焊垫电连接。
8.如权利要求1-6任一项所述的方法,其中,将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于第一载板上之后,还包括:
形成密封层,所述密封层至少包裹在所述至少一个待封装芯片的四周。
9.如权利要求8所述的方法,其中,所述密封层连续不间断的覆盖在所述第一包封层上表面以及至少包裹在所述芯片的四周。
10.如权利要求8所述的方法,剥离所述第一载板,暴露出所述保护层之后,还包括:
在所述保护层以及露出的所述密封层上形成第一再布线层,所述第一再布线层通过所述保护层开口与所述待封装芯片上的焊垫电连接。
11.如权利要求1所述的方法,其中,在剥离所述第一载板,露出所述保护层之后,还包括:
形成钝化层,所述钝化层形成在所述保护层和所述第一包封层上。
12.如权利要求8所述的方法,其中,在剥离所述第一载板,露出所述保护层之后,还包括:
形成钝化层,所述钝化层形成在所述保护层和所述密封层上。
13.如权利要求11或12所述的方法,形成钝化层之后,还包括:
在所述钝化层上形成保护层开口,所述保护层开口位于所述待封装芯片的焊垫处,且贯穿所述钝化层以及所述保护层;
在所述钝化层上形成第一再布线层,所述第一再布线层通过所述保护层开口与所述待封装芯片上的焊垫电连接。
14.如权利要求7、10或12所述的方法,还包括:
在所述第一再布线层上形成第二包封层,并通过第一导电凸柱引出所述第一再布线层的焊垫或连接点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造