[发明专利]一种AlGaInP发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种AlGaInP发光二极管制作方法，其特征在于，包括：

提供第一LED外延结构、第二LED外延结构、第三衬底；

其中，所述第一LED外延结构包括：第一GaAs衬底，位于所述第一GaAs衬底上沿背离所述第一GaAs衬底的方向上依次设置的第一缓冲层、第一剥离层、第一型AlInP限制层、AlGaInP多量子阱层、第二型AlInP限制层；

所述第二LED外延结构包括：第二GaAs衬底、位于所述第二GaAs衬底上沿背离所述第二GaAs衬底的方向上依次设置的第二缓冲层、第二剥离层、第二型AlInP限制层和GaP电流扩展层；

将所述第三衬底与所述GaP电流扩展层键合；

去除所述第二剥离层、所述第二缓冲层和所述第二GaAs衬底；

将所述第一LED外延结构的第二型AlInP限制层与所述第二LED外延结构第二型AlInP限制层键合；

去除所述第一剥离层、所述第一缓冲层和所述第一GaAs衬底。

2.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管制作方法，其特征在于，所述将所述第三衬底与所述GaP电流扩展层键合，具体包括：

在所述GaP电流扩展层上蒸镀第一键合层金属；

在所述第三衬底的表面蒸镀第二键合层金属；

将所述第一键合层金属和所述第二键合层金属键合。

3.根据权利要求1或2所述的AlGaInP发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一LED外延结构还包括：位于所述第二型AlInP限制层背离所述第一GaAs衬底的第一GaAs帽层；所述第二LED外延结构还包括：位于所述GaP电流扩展层背离所述第二GaAs衬底的第二GaAs帽层；

在所述将所述第三衬底与所述GaP电流扩展层键合之前，还包括：

去除所述第二GaAs帽层；

在将所述第一LED外延结构的第二型AlInP限制层与所述第二LED外延结构第二型AlInP限制层键合之前，还包括：

去除所述第一LED外延结构的第二型AlInP限制层上的所述第一GaAs帽层。

4.根据权利要求2所述的AlGaInP发光二极管制作方法，其特征在于，所述提供第一LED外延结构、第二LED外延结构、第三衬底，具体包括：

提供第一GaAs衬底，并在第一外延设备中，在所述第一GaAs衬底表面依次外延所述第一缓冲层、第一剥离层、第一型AlInP限制层、AlGaInP多量子阱层和第二型AlInP限制层；

提供第二GaAs衬底，并在第二外延设备中，在所述第二GaAs衬底表面依次外延第二缓冲层、第二剥离层、第二型AlInP限制层和GaP电流扩展层；

提供所述第三衬底，并将所述第三衬底的待形成所述第二键合层金属的表面清洗干净。

5.根据权利要求4所述的AlGaInP发光二极管制作方法，其特征在于，在外延形成所述第一剥离层后，在外延形成所述第一型AlInP限制层之前，还包括：

在所述第一剥离层背离所述第一GaAs衬底的表面，依次外延生长第一型AlGaInP粗化层、第一型AlGaInP扩展层。

6.根据权利要求1所述的AlGaInP发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一型均为N型，所述第二型均为P型。

7.根据权利要求6所述的AlGaInP发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材质与所述第二缓冲层的材质相同，均为N型掺杂的GaAs缓冲层；所述第一剥离层的材质与所述第二剥离层的材质相同，均为N型掺杂的AlAs层。