[发明专利]一种表面羟基化介孔SiO2-TiO2复合自清洁涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层的制备方法，其特征在于所述制备方法步骤如下：

步骤一：将0.06～0.08gCTAB胶粒溶于32～37mL去离子水和14～16mL无水乙醇混合溶液，向上述混合溶液中加入0.5～2.0mL正硅酸乙酯并以100～300r/min搅拌10～30min，制得SiO₂溶胶；

步骤二：将10～12mL钛酸四丁酯加入0.9～1.1mL乙酰丙酮和34～36mL无水乙醇的混合溶液中，制得TiO₂溶胶；

步骤三：将干净干燥的衬底置于步骤一制得的SiO₂溶胶中，并在一定温度下静置，得到表面附着有一层SiO₂溶胶的衬底并将其于530～580℃温度下煅烧3～3.5h以除去CTAB，煅烧后衬底表面所附着的即为制得的介孔SiO₂薄膜；

步骤四：按浸渍提拉法将步骤三制得的表面附着有介孔SiO₂薄膜的衬底放置于步骤二制得的TiO₂溶胶中浸渍一定时间，再将衬底匀速从TiO₂溶胶中提拉出来，使介孔SiO₂薄膜上涂覆有一层TiO₂溶胶，经煅烧制得介孔SiO₂-TiO₂复合涂层；

步骤五：将步骤四制得的涂覆有介孔SiO₂-TiO₂复合涂层的衬底放置在双氧水中加热至一定温度并保温一定时间后，将其放入烘箱中烘干，制得表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层。

2.根据权利要求1所述一种表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层的制备方法，其特征在于步骤三所述衬底为石英玻璃、陶瓷或瓷砖；所述静置温度为60～70℃，静置时间为19～21h。

3.根据权利要求2所述一种表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层的制备方法，其特征在于步骤三制得的介孔SiO₂薄膜厚度为0.1～0.7μm。

4.根据权利要求3所述一种表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层的制备方法，其特征在于步骤四所述浸渍时间为30～40s，所述煅烧为530～580℃煅烧3～3.5h。

5.根据权利要求4所述一种表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层的制备方法，其特征在于步骤五所述双氧水浓度为33～36%，所述加热温度为105～110℃，所述加热时间为6～7h，所述烘干温度为75～85℃。

6.根据权利要求5所述一种表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层的制备方法，其特征在于步骤五制得的表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层厚度为0.2～1μm，介孔尺寸为5～60nm。

7.基于权利要求1-6任一所述一种表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层的制备方法制得的一种表面羟基化的介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层，其特征在于所述复合自清洁涂层厚度为0.2～1μm，所述介孔孔径为5～60nm。

8.根据权利要求7所述一种表面羟基化介孔SiO₂-TiO₂复合自清洁涂层，其特征在于所述复合自清洁涂层厚度为0.5～0.8μm，所述介孔孔径为20～45nm。