[发明专利]一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法有效
申请号: | 201711228782.4 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108091582B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 王帅;陈思;高源;范萍 | 申请(专利权)人: | 上海无线电设备研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 周荣芳 |
地址: | 200090 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 纳米银浆 焊接 装配 载体模块 盒体 基板 大功率芯片 复杂组合 微波组件 高功率 表面贴装器件 焊点 电连接器 功率芯片 互连材料 可装配性 钎焊焊料 散热问题 导电胶 烧焊 粘结 重熔 固化 芯片 | ||
1.一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其特征在于,包含以下步骤:
步骤1:将大功率芯片通过纳米银浆烧结在载体上以形成载体模块,烧结温度为T1;
步骤2:将基板与电连接器焊接在盒体上,焊接温度为T2;
步骤3:将表面贴装器件焊接在基板上,焊接温度为T3;
步骤4:将载体模块中的载体通过纳米银浆烧结在盒体上,烧结温度为T4;
步骤5:将其余芯片通过导电胶粘结在基板上,固化温度为T5;
所述温度满足以下条件:T1>T2>T3>T4>T5。
2.如权利要求1所述的高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其特征在于,所述步骤5还包括以下步骤:在固化前,同时将其它粘结器件通过导电胶粘结在盒体上。
3.如权利要求1所述的高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其特征在于,其还包括步骤6:将盖板通过激光封焊焊接在盒体上。
4.如权利要求1所述的高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其特征在于,步骤2中,所述焊接的材料为SnAgCu。
5.如权利要求1所述的高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其特征在于,步骤2中,所述焊接的方法为真空焊接。
6.如权利要求1所述的高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其特征在于,步骤3中,所述焊接的材料为SnPb。
7.如权利要求1所述的高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其特征在于,步骤3中,所述焊接的方法为回流焊接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造