[发明专利]一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺

权利要求书

1.一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池，包括金刚线切割多晶P型硅片（2）和铝背场（1），其特征在于：所述铝背场（1）设置在金刚线切割多晶P型硅片（2）下方，所述金刚线切割多晶P型硅片（2）上方设置有第一氮化硅层（3），所述第一氮化硅层（3）上方设置有第二氮化硅层（4），所述第二氮化硅层（4）上方设置有第三氮化硅层（5），所述第三氮化硅层（5）上方设置有栅线电极（6）。

2.根据权利要求1所述的一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池，其特征在于：第一氮化硅层（3）采用折射率为2.4的氮化硅薄膜，第二氮化硅层（4）采用折射率为2.15的氮化硅薄膜，第三氮化硅层（5）采用折射率为2.0的氮化硅薄膜。

3.一种权利要求1-2所述的高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1、制绒：采用金刚线多晶硅片专用制绒添加剂进行酸制绒；

S2、扩散：采用PN结深结工艺进行扩散；

S3、刻蚀：采用常规工艺进行刻蚀，去边缘PN结；

S4、氮化硅减反膜第一层：使用PECVD设备镀膜，同时通入SiH4、NH3在一定压力、射频功率下镀膜；

S5、氮化硅减反膜第二层：使用PECVD设备镀膜，同时通入SiH4、NH3在一定压力、射频功率下镀膜；

S6、氮化硅减反膜第三层：使用PECVD设备镀膜，同时通入SiH4、NH3在一定压力、射频功率下镀膜；

S7、丝网印刷：按常规工艺进行背电极，背电场，正电极丝网印刷；

S8、烧结：烧结形成良好的欧姆接触后该电池完成制备。