[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质有效

专利信息
申请号: 201711229358.1 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN108115551B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 泷口靖史;山本太郎;冈本芳树;保坂隼斗;小玉辉彦;久保明广;小篠龙人;有内雄司;木村慎佑 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: B24B37/10 分类号: B24B37/10;B24B37/34;B24B37/30;B24B57/02;B24B55/06;B24B55/00;B24B47/12;H01L21/67;F26B21/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置 方法 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:

水平地保持基片的背面中的与中央部不重叠的区域的第一保持部;

水平地保持所述基片的背面中的中央部,并且使所述基片绕铅直轴旋转的第二保持部;

为了在所述基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件;

公转机构,其使自转中的所述滑动部件绕铅直的公转轴以比该滑动部件的直径小的公转半径进行公转;和

相对移动机构,其用于使所述基片与所述滑动部件的公转轨道的相对位置在水平方向上移动,使得当所述基片被所述第一保持部保持时所述滑动部件在所述基片的背面中央部滑动,当所述基片被所述第二保持部保持时所述滑动部件在进行旋转的所述基片的背面周缘部滑动。

2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:

设置有高度限制部,其在所述基片被所述第二保持部保持时,通过吸引所述基片的周缘部或者对该周缘部供给流体,来限制该基片的周缘部的高度。

3.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:

当从旋转的所述基片的中心看所述滑动部件时,所述高度限制部对该滑动部件的左右区域分别进行吸引,或者对该左右区域分别进行流体的供给。

4.如权利要求2或3所述的基片处理装置,其特征在于:

当所述基片被所述第二保持部保持时,所述滑动部件的公转轨道分别位于靠所述基片的中心部的第一位置和靠所述基片的周端部的第二位置,

与所述公转轨道位于所述第一位置时相比,在所述公转轨道位于所述第二位置时的所述高度限制部的吸引压力或者向所述基片供给的流体的流量较大。

5.如权利要求2或3所述的基片处理装置,其特征在于:

设置有控制部,其输出控制信号,以取得关于所述基片翘曲的信息,并根据所取得的关于翘曲的信息来调节所述高度限制部的吸引压力或者向所述基片供给的流体的流量。

6.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

当所述基片被所述第一保持部保持时,所述滑动部件的公转以所述公转轴与该基片的中心重叠的方式进行。

7.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

所述基片被所述第二保持部保持时,基片的转速和滑动部件的公转的转速中,较大的转速除以较小的转速所得到的值是非整数的值。

8.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

所述滑动部件由用于对所述基片的背面进行研磨来将其粗化的研磨部件构成。

9.如权利要求8所述的基片处理装置,其特征在于,还包括:

绕铅直轴进行自转的清洗部件,所述清洗部件用于擦刷被所述研磨部件粗化了的区域来进行清洗;和

使自转中的所述清洗部件绕铅直的公转轴进行公转的清洗部用公转机构,

当所述基片被所述第一保持部保持时,所述清洗部件擦刷所述基片的中央部,当所述基片被所述第二保持部保持时,所述清洗部件擦刷旋转的所述基片的周缘部。

10.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:

设置有按压机构,当所述滑动部件在所述基片上滑动时为了抑制所述基片的变形而从所述基片的正面侧向背面侧按压该基片。

11.如权利要求10所述的基片处理装置,其特征在于:

所述按压机构包括:

按压部件,其具有用于隔着所述基片与所述滑动部件相对地按压该基片的按压面;和

使所述按压部件升降的升降机构。

12.如权利要求11所述的基片处理装置,其特征在于:

在所述按压面设置有供给用于清洗所述基片的清洗液的清洗液供给口,

所述按压面按压被供给了所述清洗液的所述基片的表面。

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