[发明专利]影像传感芯片的封装结构及封装方法有效
申请号: | 201711229423.0 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN107845653B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 王之奇 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵秀芹;王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感 芯片 封装 结构 方法 | ||
本申请实施例公开了一种影像传感芯片的封装结构和封装方法。该封装结构封装结构中,影像传感芯片位于基板的通孔内,且该影像传感芯片的正面与基板的第一表面相平。如此,在该封装结构中,影像传感芯片的高度是以基板第一表面作为基准进行控制的,由于基板的第一表面在封装过程中不会发生变化,因此,在该封装结构中,影响影像传感芯片高度的不可控因素几乎不存在,因此,通过该封装结构可以较为准确地控制影像传感芯片的高度,有利于减小影像传感芯片的实际高度与设计高度之间的偏差,使得影像传感芯片的实际高度与设计高度基本一致,如此,能够实现对影像传感芯片与其上方的透镜之间的距离的严格控制,从而提高影像传感器的成像质量。
技术领域
本申请涉及芯片封装技术领域,尤其涉及一种影像传感芯片的封装结构及封装方法。
背景技术
传统的影像传感芯片封装结构通常采用引线键合(Wire Bonding)进行封装,但随着集成电路的飞速发展,较长的引线使得产品尺寸无法达到理想要求。随着技术的发展,晶圆级封装逐渐取代引线键合封装,且晶圆级封装是目前较为常用的封装方法。
现有的一种晶圆级封装结构如图1所示,影像传感芯片11通过黏胶12粘结固定在基板13上。位于影像传感芯片11上方的透镜14,该透镜14由透镜支架15支撑.。
在图1所示的晶圆级封装结构中,通过粘结方式固定影像传感芯片11的方式,因黏胶12的存在,且黏胶12的厚度很难控制,导致影像传感芯片11的高度不容易控制,导致影像传感芯片11的实际高度与设计高度之间的偏差较大,因此,在这种封装结构中,影像传感芯片11与其上方的透镜14之间的距离也较难控制,使得影像传感芯片11与其上方的透镜14之间的实际距离与设计距离的偏差也较大。而为了确保影像传感器的成像质量,必须严格控制影像传感芯片与其上方的透镜之间的距离,尽量减小实际距离与设计距离之间的偏差。因而,图1所示的晶圆级封装结构很难控制影像传感器的成像质量。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供了一种影像传感芯片的封装结构及封装方法,以严格控制影像传感芯片的高度,从而提高影像传感器的成像质量。
为了解决上述技术问题,本申请采用了如下技术方案:
一种影像传感芯片的封装结构,包括:基板和至少一个影像传感芯片;
所述基板包括相对的第一表面和第二表面,所述基板上形成有至少一个贯穿所述第一表面和第二表面的通孔;所述第一表面上设置有与影像传感芯片正面电连接的第一焊垫;所述基板的第二表面上还设置有用于与外部电路电连接的第二焊垫;所述基板内部设置有用于电连接第一焊垫和第二焊垫的电连接结构;
所述影像传感芯片位于所述通孔内且所述影像传感芯片的的正面与基板第一表面相平;所述影像传感芯片正面上设置有感光区和位于所述感光区以外的第三焊垫,所述第三焊垫与第一焊垫通过引线实现电连接。
一种影像传感芯片的封装方法,包括:
提供基板,所述基板包括相对的第一表面和第二表面;所述第一表面上设置有与影像传感芯片正面电连接的第一焊垫;所述基板的第二表面上还设置有用于与外部电路电连接的第二焊垫;所述基板内部设置有用于电连接第一焊垫和第二焊垫的电连接结构;
在所述基板上形成至少一个贯穿所述第一表面和第二表面的通孔,所述通孔能够容纳至少一个影像传感芯片;
在所述基板的第一表面上形成用于封住通孔朝向第一表面开口的覆盖层;
将影像传感芯片放置到通孔内,其中,所述影像传感芯片的正面与所述覆盖层表面接触;所述影像传感芯片正面上设置有感光区和位于所述感光区以外的第三焊垫;
连接所述影像传感芯片与基板,以使影像传感芯片与基板形成整体结构;
去除所述覆盖层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的