[发明专利]一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法有效
| 申请号： | 201711231340.5 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108063085B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 唐昭焕;杨发顺;马奎;林洁馨;傅兴华 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 长期 存储 半导体 硅片 产品 工艺 处理 方法 | ||
1.一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法，它包括：
步骤1、喷淋及浸泡：将存储后的半导体硅片进行喷淋及浸泡；
步骤1所述喷淋及浸泡的方法为：使用带喷淋功能的清洗槽喷淋所述半导体硅片，直至半导体硅片被喷淋液体完全淹没，喷淋液体为去离子水；浸泡为使用去离子水在清洗槽中浸泡所述半导体硅片，浸泡时间为5分钟；
步骤2、煮一号液：使用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液对浸泡后的半导体硅片进行清洗；
步骤3、冲水：对步骤2后的半导体硅片进行冲洗；
步骤4、甩干：对冲洗后的半导体硅片进行甩干；
步骤5、烘培：对甩干后的半导体硅片进行烘干处理；
所述烘培方法为：使用120℃高温烘箱烘培半导体硅片30分钟。
2.根据权利要求1所述的一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法，其特征在于：步骤2所述的煮一号液的方法为：使用氨水（NH4OH）、双氧水（H2O2）和去离子水（H2O）的混合溶液组成一号液清洗所述半导体硅片；一号液的配比为：NH4OH：H2O2：H2O=1：1：6。
3.根据权利要求1所述的一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法，其特征在于：步骤3所述冲水的方法为：使用带喷淋功能的清洗槽清洗所述半导体硅片10次。
4.根据权利要求1所述的一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法，其特征在于：步骤4所述甩干方法为：使用甩干机甩干所述半导体硅片。
5.根据权利要求1所述的一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法，其特征在于：所述半导体硅片为未进行减薄且完成了金属化布线和钝化工艺的半导体硅片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
