[发明专利]基于基片集成波导传输线的高隔离度超宽带定向耦合器在审
申请号: | 201711233023.7 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107946720A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 颜锦奎;张宁 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01P5/18 | 分类号: | H01P5/18 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 | 代理人: | 陆聪明 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 集成 波导 传输线 隔离 宽带 定向耦合器 | ||
1.一种基于基片集成波导传输线的高隔离度超宽带定向耦合器,属于单层PCB电路板射频器件,PCB电路板是介质板双面分别镀铜而成,其特征在于:所述双面镀铜的PCB板上表面包含有一个基片集成波导传输线SIW耦合结构(2)和四个锥形渐变型微带线匹配结构(3)构成耦合器(1),而下表面为镀铜接地板;所述耦合结构(2)共有四个输出端口,每个端口与一个锥形渐变型微带线匹配结构(3)相连接;耦合结构(2)是由主副两条基片集成波导SIW传输线(2-5、2-6)耦合而成,双面镀铜PCB板的两侧边缘均布有钻第一通孔(2-7)且第一通孔(2-7)内壁镀铜;所述主副两条相同的SIW传输线(2-5、2-6)通过四个等间距的镀铜第二通孔(2-2)和两侧对称分布的十二个镀铜第三通孔(2-8),以窄边耦合的方式来实现主SIW传输线(2-5)与副SIW传输线(2-6)之间的能量耦合;匹配结构(3)与耦合结构(2)连接部分的微带宽度(3-2)将微带线与基片集成波导传输线的传输损耗降到最小;50Ω端口的微带宽度(3-3)实现微带线50Ω匹配,降低耦合器与外部器件的传输损耗。
2.根据权利要求1所述的基于基片集成波导传输线的高隔离度超宽带定向耦合器,其特征在于:所述耦合结构由主副两条相同的SIW传输线(2-5、2-6)耦合实现;其中单条SIW传输线是由双面敷有金属铜的PCB电路板和镀铜第一通孔(2-7)组成,镀铜第一通孔(2-7)均匀分布在双面敷铜的PCB电路板的两侧,电磁场被限制在并行的两排镀铜通孔(2-7)之间传输;第一通孔(2-7)大小和间距需满足:s/d<2和d/a<0.2,其中s为两侧镀铜第一通孔(2-7)间距(4-2),d为镀铜通孔直径(4-1),a为SIW传输线等效为矩形波导后的宽度;满足这个条件才能保证电磁波在并行的两排镀铜第一通孔(2-7)之间传输。
3.根据权利要求1所述的基于基片集成波导传输线的高隔离度超宽带定向耦合器,其特征在于:所述该耦合器(1)的尺寸为193.6mm*49.4mm*1.56mm,其中耦合结构(2)的尺寸为83.8mm*41mm*1.56mm,匹配结构(3)的长度为54.9mm,耦合结构(2)中四个镀铜第二通孔(2-2)的间距(2-1)为10.5mm,镀铜第二通孔(2-2)的直径(2-3)为1mm;耦合结构(2)中两侧对称分布的十二个镀铜第三通孔(2-8)的间距(2-10)为2.9mm,镀铜第三通孔(2-8)的直径(2-9)为2.2mm;耦合结构(2)中四个镀铜第二通孔(2-2)和两侧对称分布的十二个镀铜第三通孔(2-8)的间距(2-11)为10mm;匹配结构(3)与耦合结构(2)连接部分的微带宽度(3-2)为10.3mm,50Ω端口的微带宽度(3-3)为3.38mm,PCB介质材料的介电常数为4.4;耦合器(1)仿真S参数:工作频段为4GHz~6GHz,耦合度S31接近10dB,输入端和隔离端之间的隔离度达到30dB以上,最高达40dB,回波损耗S11达到30dB以上,最高达到50dB,带宽达到40%。
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