[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201711234906.X | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108122957B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 李明和 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
提供了有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括:基板;在所述基板上的显示区域,所述显示区域包括:第一像素,其包括配置为发射第一颜色光的第一有机发光层;第二像素,其包括配置为发射第二颜色光的第二有机发光层;和第三像素,其包括配置为发射第三颜色光的第三有机发光层;以及在所述基板上的非显示区域中的检查图案区域,所述检查图案区域包括第一检查像素,所述第一检查像素包括包含与所述第一有机发光层相同的材料的第一检查有机发光层。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年11月30日提交的韩国申请第10-2016-0161469号的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及有机发光显示(OLED)装置及其制造方法。
背景技术
随着面向信息的社会的进步,对用于显示图像的显示装置的各种要求不断增加。因此,已经使用了各种显示装置,包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置和有机发光显示(OLED)装置。
OLED装置是自发光显示装置。与LCD装置相比,OLED装置具有更宽的视角和更大的对比度。另外,与LCD装置不同,OLED装置可被制造为重量轻且纤薄,这是因为其不需要单独的光源。此外,考虑到功耗,OLED装置是有利的。另外,OLED装置可由低DC电压驱动,并且OLED装置的响应速度为快速的。另外,OLED装置可具有制造成本低的优点。
OLED装置可包括各自设置有有机发光器件的像素以及用于划分像素以限定像素的堤部。堤部起像素限定膜的作用。有机发光器件可包括阳极电极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极电极。在这种情况下,当向阳极电极施加高电势电压且向阴极电极施加低电势电压时,空穴和电子分别经由空穴传输层和电子传输层移动至有机发光层,然后在有机发光层中彼此复合,从而发光。
每个像素可包括具有用于发射红色光的红色有机发光层的红色像素,具有用于发射绿色光的绿色有机发光层的绿色像素,以及具有用于发射蓝色光的蓝色有机发光层的蓝色像素。在这种情况下,通过使用具有用于红色像素的开口的第一精细金属掩模(FMM)在红色像素中形成红色有机发光层,通过使用具有用于绿色像素的开口的第二FMM在绿色像素中形成绿色有机发光层,并且通过使用具有用于蓝色像素的开口的第三FMM在蓝色像素中形成蓝色有机发光层。
在进行上述FMM过程之前,进行对准检验以检查红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层是否在检查基板(测试基板)上的相应红色、绿色和蓝色像素中适当地对准。也就是说,通过使用额外的检查基板来检查红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层中的每一个的对准误差。
发明内容
因此,本公开涉及有机发光显示装置及其制造方法,其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本公开的一个方面是提供一种有机发光显示装置及其制造方法,所述有机发光显示装置包括用于在设置有薄膜晶体管的基板上进行对准检查的有机发光层,以通过省略额外的检查基板来降低制造成本。
另外的特征和方面将在下面的描述中进行阐述,并且部分将由描述而变得明显,或者可通过本文中提供的本发明构思的实践而获知。本发明构思的其他特征和方面可通过在所撰写的说明书或可来源于其及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现如所呈现和广泛描述的本发明构思的这些和其他方面,提供了一种有机发光显示(OLED)装置,其包括:基板、在所述基板上的显示区域,所述显示区域包括:第一像素,所述第一像素包括配置为发射第一颜色光的第一有机发光层;第二像素,所述第二像素包括配置为发射第二颜色光的第二有机发光层;和第三像素,所述第三像素包括配置为发射第三颜色光的第三有机发光层,以及在所述基板上的非显示区域中的检查图案区域,所述检查图案区域包括第一检查像素,所述第一检查像素包括包含与所述第一有机发光层相同的材料的第一检查有机发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的