[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

单独的基板，配置为包括单个芯片；以及

在所述基板上的多个存储单元，所述多个存储单元在所述基板上彼此间隔开，所述多个存储单元具有不同的结构，

其中所述多个存储单元包括第一存储单元和第二存储单元，

其中第一布线结构和第二布线结构分别设置在所述第一存储单元和所述第二存储单元上并连接到所述第一存储单元和所述第二存储单元；

其中所述基板包括：

彼此间隔开的至少一个第一有源区和至少一个第二有源区，以及

在所述至少一个第一有源区和所述至少一个第二有源区之间的隔离层，

其中所述第一存储单元在所述至少一个第一有源区上，

其中所述第二存储单元在所述至少一个第二有源区上，

其中所述第一存储单元包括电容器和第一晶体管，所述第二存储单元包括可变电阻结构和第二晶体管，

其中所述第一晶体管包括具有第一掺杂浓度的第一源极/漏极区，所述第二晶体管包括具有第二掺杂浓度的第二源极/漏极区，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度，以及

其中所述可变电阻结构具有平坦结构，

其中所述可变电阻结构形成在与所述第一布线结构中包括的处于不同水平的多条导电线当中的最下面的导电线相同的水平上。

2.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多个存储单元包括动态随机存取存储器的存储单元和磁性随机存取存储器的存储单元。

3.如权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述电容器与所述基板间隔开第一距离，

所述可变电阻结构与所述基板间隔开第二距离，以及

所述第二距离与所述第一距离不同。

4.如权利要求3所述的集成电路器件，其中所述第一距离小于所述第二距离。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述电容器具有最上表面，所述最上表面与所述基板间隔开第一距离，所述可变电阻结构与所述基板间隔开第二距离，以及

所述第二距离大于所述第一距离。

6.如权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述电容器具有最上表面，所述最上表面与所述基板间隔开第一距离，所述可变电阻结构与所述基板间隔开第二距离，以及

所述第二距离小于所述第一距离。