[发明专利]一种质点振速测量敏感结构及制备方法

权利要求书

1.一种质点振速测量敏感结构，硅衬底上形成有桥孔，桥孔的一侧上设有第一电极，桥孔的另一侧上设有第二电极、第三电极，桥孔上方设有第一薄丝、第二薄丝，第一薄丝、第二薄丝平行设置且保持微间距，两个薄丝的一端均与第一电极连接，两个薄丝的另一端分别与第二电极、第三电极连接，其特征在于：

第一薄丝、第二薄丝的结构均为，薄丝的两端部位呈弯曲状，薄丝的中间部位呈平直的矩形状；薄丝中间部位的宽度、厚度大于薄丝两端部位的宽度、厚度。

2.根据权利要求1所述的质点振速测量敏感结构，其特征在于：薄丝的两端部位呈S形状或呈“几”字形状。

3.根据权利要求2所述的质点振速测量敏感结构，其特征在于：薄丝中间部位的薄丝宽度为1μm—2μm，厚度为0.1μm—0.3μm。

4.根据权利要求3所述的质点振速测量敏感结构，其特征在于：薄丝两端部位的薄丝宽度为0.2μm—0.8μm，厚度为0.02μm—0.08μm。

5.根据权利要求4所述的质点振速测量敏感结构，其特征在于：薄丝两端部位的S形状或“几”字形状的整体宽度大于3μm。

6.根据权利要求1—5任何一项所述的质点振速测量敏感结构，其特征在于：第一薄丝和第二薄丝之间设有1根或多根薄丝，所说1根或多根薄丝与第一薄丝、第二薄丝平行设置，结构与第一薄丝、第二薄丝相同。

7.一种权利要求1所述质点振速测量敏感结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在硅衬底上依次沉积绝热层和支撑层，其中，绝热层位于支撑层的下方；

步骤2：进行第一次涂胶、光刻和显影，定义出质点振速测量敏感结构的第一电极、第二电极、第三电极和第一敏感层,第一敏感层即薄丝的两端部位；

步骤3：依次蒸发淀积黏附层和第一敏感层，其中，黏附层位于第一敏感层的下方；

步骤4：剥离光刻胶，形成相应的敏感结构；

步骤5：进行第二次涂胶、光刻和显影，定义出质点振速测量敏感结构的第二敏感层,第二敏感层即薄丝的中间部位；

步骤6：蒸发淀积第二敏感层，剥离光刻胶，形成相应的敏感结构；

步骤7：进行第三次涂胶、光刻和显影，定义质点振速测量敏感结构的桥孔结构；

步骤8：进行干法刻蚀，刻蚀去掉未被光刻胶覆盖的支撑层和绝热层；

步骤9：对硅衬底进行异性湿法腐蚀，形成桥孔结构；

步骤10：进行划片、引线键合及封装，得到成品。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：步骤6中，对第二敏感层采用高温退火工艺进行热处理。