[发明专利]液处理装置有效
申请号: | 201711237047.X | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN107833852B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 胁山辉史;伊藤规宏;东岛治郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B17/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种液处理装置,其将基板保持于旋转自如的基板保持部,并对基板供给处理液来进行液处理,其特征在于,
该液处理装置包括:
杯体,其包围上述基板保持部,并在基板上方设有开口;
包围构件,其在比上述杯体靠外侧的位置将包括上述杯体的上方空间在内的区域包围;
气流形成部,其用于从上述杯体的上侧起在杯体内形成下降气流;
板部,其沿着上述杯体的周向设置,堵塞上述杯体和上述包围构件之间的间隙;以及
排气口,其为了对位于上述板部上方的被上述包围构件和上述板部包围的区域进行排气而设于比上述杯体靠外侧的位置,
上述排气口设置在朝向与切线交叉的方向配置在该切线的方向的下游侧的上述包围构件上并且沿着上下方向延伸,该切线以上述基板保持部的旋转中心为中心的圆的、沿着基板保持部的旋转方向延伸。
2.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于,
上述排气口朝向与所述切线交叉的方向开口。
3.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
上述包围构件具有划分壁,该划分壁从被上述包围构件和上述板部包围的区域划分、形成将被排出的气流向下侧引导的流路,上述排气口形成于该划分壁。
4.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
该液处理装置具有用于使从上述排气口排出的气流向下侧流动的流路。
5.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
沿着上述杯体的周向设有多个上述排气口。
6.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
上述排气口设于俯视形状构成为矩形的上述包围构件的角部。
7.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
上述包围构件构成为圆筒形状,在上述排气口设有用于将沿着圆筒形状的上述包围构件流动的气流向上述排气口引导的引导板。
8.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,该液处理装置具有处理液供给机构,该处理液供给机构包括:
喷嘴部,其用于向基板供给处理液的;
喷嘴臂,上述喷嘴部保持于该喷嘴臂的顶端部;
旋转驱动部,其设于上述喷嘴臂的基端部,用于驱动上述喷嘴臂而使上述喷嘴臂以该基端部为中心进行旋转,从而使上述喷嘴部在被保持于上述基板保持部的基板的上方的处理位置和从该处理位置退避开的退避位置之间移动,
上述旋转驱动部设于与上述排气口面临的位置。
9.根据权利要求8所述的液处理装置,其特征在于,
上述包围构件具有分隔壁,该分隔壁用于将设有上述处理液供给机构的区域和上述杯体的上侧的空间分隔开,该分隔壁并设有用于供保持着上述喷嘴部的喷嘴臂通过的通过口,
替代设于与上述旋转驱动部面临的位置的排气口,而将上述通过口作为排气口,对被上述包围构件和上述板部包围的区域进行排气,并且,从与上述旋转驱动部面临的位置起对设有该处理液供给机构的区域内进行排气。
10.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
上述排气口是沿着上下方向延伸的狭缝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造