[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 201711239773.5 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107818993B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 张春鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,包括显示区和非显示区,所述显示区内包括多个像素单元,所述像素单元包括:第一电极、与所述第一电极相对设置的第二电极,以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光层,其特征在于,所述显示区分为中央显示区和边缘显示区;位于边缘显示区中的像素单元的第一电极,至少与一个位于中央显示区中的像素单元的第一电极电连接;
其中,至少在一个位于边缘显示区中的像素单元的第一电极之下设置有栅极驱动电路;
其中,位于边缘显示区中、与位于中央显示区中的像素单元电连接的像素单元的数量,根据位于边缘显示区中的像素单元与位于中央显示区中的像素单元的距离变大而递增。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于中央显示区中的像素单元的第一电极的面积大于位于边缘显示区中的像素单元的第一电极的面积。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极包括:透明导电层和金属膜;其中,
位于中央显示区中的像素单元的第一电极包括:透明导电层和金属膜;
位于边缘显示区中的像素单元的第一电极包括:透明导电层。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:与第一电极同层设置的第一导电走线;其中,所述位于边缘显示区中的像素单元的第一电极,至少与一个所述位于中央显示区中的像素单元的第一电极通过第一导电走线电连接。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电走线在垂直于阵列基板的方向上的延伸方向相同,且位于边缘显示区中的像素单元的颜色的排列顺序,与位于中央显示区中、与位于边缘显示区中的像素单元相连的像素单元的颜色的排列顺序相反。
6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,还包括:位于第一电极之下的源漏极层,以及与所述源漏极层同层设置的第二导电走线;其中,所述第一电极与所述源漏极层之间设置有平坦层,所述第二导电走线通过设置在所述平坦层的过孔将所述位于边缘显示区中的像素单元的第一电极,与至少一个所述位于中央显示区中的像素单元的第一电极电连接。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于边缘显示区中的像素单元与位于中央显示区中、与位于边缘显示区中的像素单元同种颜色的像素单元电连接。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,位于边缘显示区中的像素单元与位于中央显示区中、距离位于边缘显示区中的像素单元最近的像素单元电连接。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述边缘显示区包括:第一边缘显示区、第二边缘显示区、第三边缘显示区及第四边缘显示区;
其中,第一边缘显示区与第三边缘显示区相对,第二边缘显示区与第四边缘显示区相对。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,与位于中央显示区中的像素单元电连接的、位于边缘显示区的像素单元至少位于所述第一边缘显示区、第二边缘显示区、第三边缘显示区及第四边缘显示区中的一个边缘显示区。
11.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述栅极驱动电路至少设置于所述第一边缘显示区、第二边缘显示区、第三边缘显示区及第四边缘显示区中的一个边缘显示区中。
12.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述边缘显示区包括:位于任意两个边缘显示区之间的直角、倒角、圆角,或任一边缘显示区向所述中央显示区内部凹陷的凹槽轮廓。
13.如权利要求1所述的显示面板,设置在与位于中央显示区中的像素单元电连接的、位于边缘显示区中的像素单元的第一电极之下的栅极驱动电路在垂直于阵列基板的方向上所占用的面积,小于与位于中央显示区中的像素单元电连接的、位于边缘显示区中的像素单元在垂直于阵列基板的方向上所占用的面积。
14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-13任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的