[发明专利]一种基于超分辨光刻的间隙检测装置有效
申请号: | 201711240052.6 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108036732B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 冯金花;唐燕;何渝 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G01B11/14 | 分类号: | G01B11/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 分辨 光刻 间隙 检测 装置 | ||
1.一种基于超分辨光刻的间隙检测装置,其特征在于:该装置包括白光光源,Y型光纤,物镜镜框,光纤准直镜,掩模,基片,纳米工件台,光谱仪和上位机,其中光纤准直镜和掩模由镜框进行装夹;掩模的非图形区域留有半透半反的窗口,且半透半反窗口处镀有铬层,同时基片上镀有银层,从白光光源输出的光由Y型光纤将入射光导入光纤准直镜,入射光在掩模下表面的半透半反窗口产生分光,一束光反射回光纤准直镜内部,另一束光经掩模的半透半反窗口透射后,经基片表面的银层反射,透过掩模的半透半反窗口被光纤准直镜接收,此时,被返回的两束光由Y型光纤返回光谱仪,由光谱仪进行探测,因为两束光经过的光程不同,从而产生相位差,在上位机中分析不同波长对应的相位差,获得掩模与基片之间的绝对距离,控制纳米工件台的Z轴运动消除间隙,实现纳米图形的曝光;
所述掩模的非图形区域留有半透半反的窗口,且半透半反窗口处镀5nm厚的铬层;基片上镀30nm厚的银层;
该装置通过对光谱仪接收到两束光的光谱分布进行分析,可以获得基片和掩模的光程差绝对值,进而获得基片和掩模两者之间光程差引起的相位差,实现掩模和基片之间的绝对间隙检测,能实现±4nm的检测;实现纳米级的间隙曝光,有效的保护了超分辨光刻器件,保证光刻图形质量。
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