[发明专利]一种于衬底上获得热氧化层的方法

说明书

本发明提供了一种于衬底上获得热氧化层的方法，应用于炉管热氧化工艺中，提供一第一衬底，于第一衬底上生长ONO结构后，第一衬底的正面包括一第一ONO结构，第一衬底的背面包括一第二ONO结构，其中，刻蚀去除第二ONO结构最外层的氧化层，以暴露位于第二ONO结构中间的第一氮化物层后形成一待反应衬底结构，包括以下步骤：步骤S1、将待反应衬底结构放置于一炉管中；步骤S2、通过控制炉管的反应参数以及通入放应气体，于第一氮化物层上生成一厚度可调节的热氧化层。其技术方案的有益效果在于，通过控制炉管的反应参数将ONO结构反应生成热氧化层，进而可以有效的减少工艺流程，避免了产能的浪费。

技术领域

本发明涉及半导体制备领域，尤其涉及一种于衬底上获得热氧化层的方法。

背景技术

ONO结构(氧化层-氮化层-氧化层，Oxide/Nitride/Oxide)即两层氧化层之间夹杂氮化层。氧化层和氮化硅层分别采用炉管的高温氧化工艺(HTO)和DCS-NH3低压化学气相沉积工艺，两种工艺都属于炉管的低压化学气相沉积工艺，所以会在衬底的正反面都形成ONO结构。

而生长在衬底被背面的ONO结构，实际上是反应过程中形成的副产物，当需要在在衬底的背面生长热氧化层时，现有的做法通常是将衬底背面的ONO结构去除，以暴露衬底的背面，再通过热氧化制成工艺在衬底的背面生长预定厚度的氧化层，去除衬底背面的结构通常采用的湿法刻蚀工艺加上清洗步骤实现，因此在衬底的背面形成热氧化层时存在着工艺步骤较多，导致产能的浪费。

发明内容

针对现有技术中于衬底的背面生成热氧化层存在的上述问题，现提供一种旨在省去对衬底背面的ONO结构进行去除的工艺，以在衬底的背面形成热氧化层，避免造成产能浪费的于衬底上获得热氧化层的方法

具体技术方案如下：

一种于衬底上获得热氧化层的方法，应用于炉管热氧化工艺中，提供一第一衬底，于所述第一衬底上生长ONO结构后，所述第一衬底的正面包括一第一ONO结构，所述第一衬底的背面包括一第二ONO结构，其中，刻蚀去除所述第二ONO结构最外层的氧化层，以暴露位于所述第二ONO结构中间的第一氮化物层后形成一待反应衬底结构，包括以下步骤：

步骤S1、将所述待反应衬底结构放置于一炉管中；

步骤S2、通过控制所述炉管的反应参数以及通入反应气体，于所述第一氮化物层上生成一厚度可调节的热氧化层。

优选的，所述炉管中设置有晶舟，所述待反应衬底结构按批次放入所述晶舟的装载区内，通过炉管热氧化工艺对所述待反应衬底结构进行反应。

优选的，相邻批次的所述待反应衬底结构之间设置有一阻挡片。

优选的，所述阻挡片包括一第二衬底，所述第二衬底于背向所述第二ONO结构的一面生长有一层第二氮化物层。

优选的，所述第二氮化物层与所述第一氮化物层的材质相同。

优选的，所述第二氮化物为氮化硅。

优选的，所述第一氮化物层的厚度与所述第二氮化物层的厚度相等。

优选的，通过湿法刻蚀工艺对所述第一ONO结构进行刻蚀的同时，将所述第二ONO结构中最外层的所述氧化层去除。

优选的，通入的所述反应气体包括氧气以及氢气。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：在衬底的背面形成ONO结构之后，可在不去除ONO结构的前提下，通过控制炉管的反应参数将ONO结构反应生成热氧化层，进而可以有效的减少工艺流程，避免了产能的浪费。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。