[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711241411.X | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108054177A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王月;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一器件面和第二器件面，所述第二器件面具有第一曲率；
提供承载晶圆，所述承载晶圆包括相对的第一承载面和第二承载面，所述第二承载面具有第二曲率，所述第二曲率与第一曲率不相等；
在所述第一承载面和/或所述第一器件面表面形成应力层，以减小所述第一曲率和第二曲率的差值；
通过所述第二器件面和第二承载面对所述承载晶圆和器件晶圆进行键合处理。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一曲率大于所述第二曲率；
第二器件面朝向第一器件面的方向凹陷，所述应力层中具有垂直于所述第二承载面的压应力；或者，第二器件面向背离第一器件面的方向凸出，所述应力层中具有垂直于所述第二承载面的拉应力。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述键合处理之后，去除所述应力层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料与所述承载晶圆的材料不相同。
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述应力层的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、硅或硅锗。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成应力层之后，所述应力层的厚度为295埃～305埃，所述第二器件面的曲率半径为24μm～28μm，所述应力层中的应力为300MPa～360MPa。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述应力层中具有拉应力时，形成所述应力层的工艺包括次大气压化学气相沉积工艺或高深宽比沉积工艺；
当所述应力层中具有压应力时，形成所述应力层的工艺包括高密度等离子体化学气相沉积工艺。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二曲率半径与第一曲率半径之差的绝对值小于或等于100。
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一器件面和第二器件面；
承载晶圆，所述承载晶圆包括相对的第一承载面和第二承载面，所述第二承载面与第二器件面贴合；
位于第一器件面或/和第一承载面表面的应力层，所述应力层中具有应力。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
