[发明专利]大功率半导体元件

权利要求书

1.一种大功率半导体元件，其特征在于，包括：

绝缘外环（1），绝缘外环（1）为圆筒形，其外壁为平整的弧形；

设置在所述绝缘外环（1）下部的阴极组件（2），所述阴极组件（2）下表面设置阴极导电层（21）；所述阴极组件（2）包括：设置在绝缘外环（1）内的阴极管座（22），所述阴极管座（22）的下端与所述绝缘外环（1）的下端密封连接；以及设置在所述阴极管座（22）上端的阴极金属片（23）；

设置在所述绝缘外环（1）上部的阳极组件（3），所述阳极组件（3）上表面设置阳极导电层（31）；所述阳极组件（3）包括：设置在绝缘外环（1）内的阳极管座（32），所述阳极管座（32）的上端与所述绝缘外环（1）的上端连接为同一整体；以及设置在所述阳极管座（32）下端的阳极金属片（33）；

连接所述阴极组件（2）的门极组件（4），所述门极组件（4）设有伸出绝缘外环（1）的门极引线；以及

连接所述阴极组件（2）和阳极组件（3）的芯片（5）；所述芯片（5）为环形；其包括上环形板和下环形板，所述上环形板连接所述阳极金属片（33）的边缘，所述下环形板连接所述阴极金属片（23）的边缘，所述阳极金属片（33）和所述阴极金属片（23）之间具有一定的距离；

所述阴极导电层（21）包括包覆在阴极管座（22）下表面的台面部分（25），以及连接所述绝缘外环（1）的连接部分（26）；

所述连接部分（26）为波浪形结构的铜片。

2.根据权利要求1所述的大功率半导体元件，其特征在于，所述阳极导电层（31）采用的材质为铝。

3.根据权利要求2所述的大功率半导体元件，其特征在于，所述阴极管座（22）和阴极金属片（23）中部设置门极安装槽（24），所述门极组件（4）固定在所述门极安装槽（24）内。

4.根据权利要求3所述的大功率半导体元件，其特征在于，所述阳极管座（32）上表面的中心设有凸出的定位圆台（34），所述阴极管座（22）的下表面中心设有定位孔（27）。

5.根据权利要求4所述的大功率半导体元件，其特征在于，所述阴极金属片（23）和阳极金属片（33）均为钼片。

6.根据权利要求5所述的大功率半导体元件，其特征在于，所述绝缘外环（1）内充满保护气体。

7.根据权利要求6所述的大功率半导体元件，其特征在于，所述芯片（5）为可控硅。