[发明专利]磁场检测传感器

权利要求书

1.一种磁场检测传感器，包括：

第一磁阻抗元件和第二磁阻抗元件，所述第一磁阻抗元件和所述第二磁阻抗元件均具有磁性材料；

偏置线圈，该偏置线圈将偏置磁场施加到所述第一磁阻抗元件的磁体；

高频振荡电路，该高频振荡电路将高频电流供给至所述第一磁阻抗元件的磁体和所述第二磁阻抗元件的磁体；

交流偏置电路，该交流偏置电路将交流偏置电流供给至所述偏置线圈；

第一检测电路，基于所述第一磁阻抗元件在被施加所述偏置磁场和外部磁场的状态下的阻抗变化，所述第一检测电路生成第一检测信号；

第二检测电路，基于所述第二磁阻抗元件在被施加所述外部磁场且不被施加所述偏置磁场的状态下的阻抗变化，所述第二检测电路生成第二检测信号；以及

磁场计算单元，基于所述第一检测信号和所述第二检测信号，所述磁场计算单元计算所述外部磁场的大小和方向。

2.根据权利要求1所述的磁场检测传感器，

其中，所述第一检测电路生成根据阻抗从基准点的变化量而变化的电信号，所述基准点是所述第一磁阻抗元件在不被施加所述外部磁场的状态下的阻抗特性的极值位置，并且

其中，所述第一检测电路包括振幅检测电路和相位检测电路中的至少一者，所述振幅检测电路检测在所述电信号的电压的正变化率和负变化率切换的各峰值处的振幅，所述相位检测电路检测所述电信号的电压经过所述基准点的时刻。

3.根据权利要求1所述的磁场检测传感器，

其中，所述磁场计算单元使用根据情况而变化的权重对所述第一检测信号和所述第二检测信号中的至少一者进行加权，从而计算所述外部磁场的大小。

4.根据权利要求1所述的磁场检测传感器，

其中，所述磁场计算单元利用具有不同的检测特性的所述第一检测信号和所述第二检测信号的组合，计算所述外部磁场的大小和方向，并且

其中，所述磁场计算单元对所述第一检测信号和所述第二检测信号中的至少一者的检测特性进行偏移校正和每个区域的极性校正，使得所述多个检测特性变为彼此接近。

5.根据权利要求4所述的磁场检测传感器，

其中，所述磁场计算单元对所述第一检测信号和所述第二检测信号中的至少一者的检测特性进行增益调整，从而使得与小磁场对应的非线性区域接近线性区域。