[发明专利]一种基于预处理工艺的晶圆键合方法

权利要求书

1.一种基于预处理工艺的晶圆键合方法，其特征在于，所述晶圆键合方法适用于分别经过前制程工艺加工的两片晶圆，至少一片所述晶圆的边缘具有一倒角，所述倒角上具有经过所述前制程工艺加工后产生的残留；其特征在于，所述晶圆键合方法包括：

步骤S1、通过预处理工艺，对具有所述倒角的所述晶圆进行预处理以去除所述晶圆上的所述残留；

步骤S2、通过键合工艺，对所述两片晶圆进行键合处理以使所述两片晶圆键合；

所述步骤S1中，所述预处理工艺的具体步骤包括：

步骤S11、通过一保护罩覆盖所述晶圆并暴露所述残留，采用干法刻蚀工艺对所述倒角上的所述残留进行干法刻蚀以去除所述残留；

步骤S12、去除所述保护罩，通过一酸液对所述晶圆进行至少一次清洗处理。

2.根据权利要求1的晶圆键合方法，其特征在于，所述晶圆具有晶圆正面、与所述晶圆正面相对且平行的晶圆背面、位于所述晶圆正面和所述晶圆背面之间且与所述晶圆正面平行的台阶面、连接所述晶圆正面和所述台阶面的延伸面、与所述江源正面垂直的晶圆侧面、连接所述台阶面和所述晶圆侧面的第一倾斜面；

所述台阶面与所述第一倾斜面构成所述倒角，且所述残留位于所述第一倾斜面上。

3.根据权利要求2的晶圆键合方法，其特征在于，所述晶圆还具有连接所述晶圆侧面和所述晶圆背面的第二倾斜面；

所述第一倾斜面和所述第二倾斜面关于所述晶圆侧面的垂直中心线对称。

4.根据权利要求2的晶圆键合方法，其特征在于，所述步骤S11中，对所述倒角上的所述残留进行干法刻蚀时，采用一预设混合气体，所述预设混合气体由Ar与预混合气体混合构成；

所述预混合气体包括CF4和/或CHF3和/或C4F8和/或SF6和/或CL2和/或BCL3。

5.根据权利要求2的晶圆键合方法，其特征在于，所述步骤S11中，对所述倒角上的所述残留进行干法刻蚀时，采用一预设压力；

所述预设压力的范围为(5mT，100mT)。

6.根据权利要求2的晶圆键合方法，其特征在于，所述步骤S11中，对所述倒角上的所述残留进行干法刻蚀时，采用一预设刻蚀时间；

所述预设研磨时间的范围为(10s，300s)。

7.根据权利要求2的晶圆键合方法，其特征在于，所述步骤S11中，对所述倒角上的所述残留进行干法刻蚀时，采用一预设刻蚀功率；

所述预设刻蚀功率的范围为(100W，4000W)。

8.根据权利要求2的晶圆键合方法，其特征在于，所述步骤S12中，所述酸液包括氢氟酸和/或盐酸和/或双氧水和/或氨水和/或去离子水。

9.根据权利要求2的晶圆键合方法，其特征在于，所述步骤S12中，所述清洗处理采用一预设清洗时间；

所述预设清洗时间的范围为(5s，240s)。