[发明专利]一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法

说明书

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法，包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行冗余图形的填充；步骤S3，针对填充冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充冗余图形和印刷图形后的第三版图进行时序分析；能够进行全面完整印刷图案的时序分析，从而保证了制备过程的高可靠性。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法。

背景技术

集成电路版图中，一般需要根据半导体器件中各层次的相互关系，计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域，在可填充冗余图形区域填充特定形式的冗余图形。

传统的集成电路布局设计中，完成冗余图形的填充后一般需要进行时序分析，但此时的时序分析无法将后续的经过光学邻近效应修正而增加的额外印刷图形考虑在内，从而可能导致时序分析失效。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种光刻版图的填充流程，其中，包括：

步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，所述设计图形对应于特定的集成电路设计；

步骤S2，针对所述第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行所述冗余图形的填充；

步骤S3，针对填充所述冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；

步骤S4，对填充所述冗余图形和所述印刷图形后的所述第三版图进行时序分析。

上述的填充流程，其中，所述步骤S2和S3中，填充所述冗余图形和所述印刷图形的操作同时完成。

上述的填充流程，其中，通过整合所述第一编码程序和所述第二编码程序使得所述冗余图形和所述印刷图形的操作同时完成。

一种光刻掩膜的设计方法，其中，包括如上任一所述的填充流程。

有益效果：本发明提出的一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法，能够进行全面完整印刷图案的时序分析，从而保证了制备过程的高可靠性。

附图说明

图1为本发明一实施例中光刻版图的填充流程的步骤流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。

实施例一

在一个较佳的实施例中，如图1所示，提出了一种光刻版图的填充流程，其中，可以包括：

步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，设计图形对应于特定的集成电路设计；

步骤S2，针对第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行冗余图形的填充；

步骤S3，针对填充冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；

步骤S4，对填充冗余图形和印刷图形后的第三版图进行时序分析。