[发明专利]应变GeCMOS器件在审
| 申请号： | 201711243351.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108039349A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/10;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变 gecmos 器件 | ||
1.一种应变GeCMOS器件，其特征在于，包括：
Si衬底(1011)；
晶化Si
P型Ge沟道层(102)，设置于所述晶化Si
介质层(103)，设置于所述P型Ge沟道层(102)上；
隔离区(104)，设置于所述P型Ge沟道层(102)和所述介质层(103)内部；
N阱区(105)，设置于所述隔离区(104)的第一侧，且设置于所述P型Ge沟道层(102)内；
PMOS区域(106)，设置于所述隔离区(104)的第一侧；
NMOS区域(107)，设置于所述隔离区(104)的第二侧；
钝化层(108)，设置于所述介质层(103)上。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述晶化Si
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，激光再晶化工艺处理Si
激光照射所述Si
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述PMOS区域(106)包括PMOS源区、PMOS漏区、PMOS栅极、PMOS源区电极及PMOS漏区电极；其中，所述PMOS源区和所述PMOS漏区设置于所述N阱区(105)之内，所述PMOS栅极设置于所述N阱区(105)之上。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述PMOS源区电极及所述PMOS漏区电极的材质均为Cr、Pt或Au中的任一种。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述NMOS区域(107)包括NMOS源区、NMOS漏区、NMOS栅极、NMOS源区电极及NMOS漏区电极；其中，所述NMOS源区和所述NMOS漏区设置于所述P型Ge沟道层(102)内，所述NMOS栅极设置于所述P型Ge沟道层(102)上。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述NMOS源区电极及所述NMOS漏区电极的材质均为Cr、Pt或Au中的任一种。
8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述P型Ge沟道层(102)的厚度为900～950nm。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述P型Ge沟道层(102)的掺杂浓度为1×10
10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述晶化Si
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
