[发明专利]SiGe材料及其制备方法

权利要求书

1.一种SiGe材料的制备方法，其特征在于，包括：

S101、选取硅衬底(001)；

S102、在所述硅衬底(001)上利用磁控溅射的方法，在400℃～500℃温度下，将纯度为99.999％的本征Si_1-xGe_x靶材料以1.5×10^-3mb的工艺压力，5nm/min的淀积速率溅射淀积在Si衬底上，得到SiGe材料外延层(002)；在所述外延层(002)表面淀积厚度为100nm的SiO₂保护层(003)；将由所述硅衬底(001)、所述外延层(002)及所述SiO₂保护层(003)形成的样品加热至600℃～650℃；其中，所述外延层(002)为Si_1-xGe_x层，x取值范围为0.7～0.8；所述Si_1-xGe_x层厚度为300～400nm；

S103、采用激光连续照射所述样品，并使所述样品自然冷却，以实现对所述外延层(002)的晶化处理，以实现对所述硅衬底(001)与所述外延层(002)之间界面晶格失配位错的抑制；其中，激光波长为808nm，激光功率密度为2.1kW/cm²，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光移动速度为20mm/s。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅衬底(001)为厚度为2μm的单晶硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S103之后，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述保护层(003)。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用激光连续照射所述样品，包括：

使激光通过全反射棱镜照向凸透镜，所述凸透镜将激光聚焦后照射至所述样品上，所述样品平放在载物台上；

采用步进电机带动样品台移动，以实现对整个样品表面进行照射。

5.一种SiGe材料，其特征在于，采用如权利要求1-4任一项所述的方法制备而成。