[发明专利]一种放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷

权利要求书

1.放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷的制备原料包括：纯度＞99.95%，粒径＜2μm的Mo粉和纯度＞99.99%，粒径＜12μm的Si粉。

2.根据权利要求1所述的放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷，其特征是放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷的制备步骤为：将原始粉末按实验设计方案称重、配料，配好后倒入硬质合金球磨罐中进行湿磨，球磨时间为24h，球磨结束后，将制得的粒料进行真空干燥，干燥时间为90min，干燥温度为30℃，随后加入成形剂进行制粒，将制好的粉末加至单柱液压机中进行压制成形，压制压力为180MPa，将制好的压坯放入脱蜡-低压烧结一体炉中进行烧结，烧结温度为1160℃，保温时间为90min。

3.根据权利要求1所述的放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷，其特征是放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷的检测步骤为：密度采用Archimedes排水法测定，维氏硬度采用HV5型维氏硬度计测定，显微硬度采用纳米压痕/划痕综合力学性能测试仪测量，物相组成采用D250X射线衍射仪分析，抗弯强度采用Ins336材料力学试验机测试，三维形貌采用原子力显微镜观察，断口形貌采用扫描电镜观察，成分分析采用能谱仪进行。

4.根据权利要求1所述的放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷，其特征是所述的放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷，MoSi2陶瓷由MoSi2和少量第二相Mo5Si3/Mo4.8Si3C0.6以及SiO2相组成，随烧结温度升高，第二相Mo5Si3/Mo4.8Si3C0.6的含量增多，且发生Mo5Si3向Mo4.8Si3C0.6的相转变，所述的放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷，随烧结温度升高，基体组织细化，陶瓷沿晶断裂比例增加，第二相产生一定的强韧化作用，1100℃烧结的MoSi2陶瓷综合性能最佳，其致密度为99.97%，维氏硬度为11.43GPa，抗弯强度和断裂韧性分别为421MP和3.6MPa·m1/2。