[发明专利]NMOS器件及计算机在审
| 申请号： | 201711244536.8 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107863389A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/165 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nmos 器件 计算机 | ||
1.一种NMOS器件(100)，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
SiGe虚衬底(102)，设置于所述Si衬底(101)上表面；
P型SiGe层(103)，设置于所述晶化SiGe层(102)上表面；
栅极(104)，设置于所述N型应变Ge层(103)上表面中间位置处；
源区(105)与漏区(106)，设置于所述N型应变Ge层(103)上部并分别位于所述栅极(104)两侧位置处；
源区电极(107)、漏区电极(108)，分别设置于所述源区(105)上表面中间位置处与所述漏区(106)上表面中间位置处；
介质层(109)，设置于所述源区(105)上表面并位于所述源区电极(107)两侧位置处、所述漏区(106)上表面并位于所述漏区电极(108)两侧位置处及所述栅极(104)上表面；
钝化层(110)，设置于所述源区电极(107)、所述漏区电极(108)及所述介质层(109)上表面。
2.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述Si衬底(101)为厚度为2μm的单晶硅。
3.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述SiGe虚衬底(102)的厚度为450～500nm。
4.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，P型SiGe层(103)的厚度为900～950nm。
5.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述源区电极(107)与所述漏区电极(108)均为钨。
6.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述源区电极(107)与所述漏区电极(108)的厚度均为10～20nm。
7.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述介质层(109)为BPSG。
8.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述介质层(109)的厚度为200～300nm。
9.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述钝化层(110)为SiN。
10.一种计算机，包括：主板、设置于主板上的CPU和内存，其特征在于，所述CPU和所述内存的集成电路中均包括如权利要求1～9所述的
NMOS器件。
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