[发明专利]一种图形化衬底及其制作方法

权利要求书

1.一种图形化衬底，包括衬底，其特征在于，所述衬底的顶面开设有若干沟槽，从而形成沟槽之间的生长平台，在所述沟槽内沉积有生长抑制层。

2.如权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述若干沟槽平行或相交设置。

3.如权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述生长平台的顶面沉积有成核层。

4.如权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于，所述成核层为AlN层或GaN层或AlGaN层。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述生长抑制层为SiO2层或者Si3N4层。

6.一种权利要求1所述图形化衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1)：在一衬底顶面旋涂一层第一光刻胶，利用一掩膜版图形化所述第一光刻胶，以第一光刻胶为掩膜刻蚀所述衬底形成若干沟槽，沟槽之间形成生长平台，除去生长平台顶面的第一光刻胶；

步骤2)：在步骤1)得到的衬底顶面沉积生长抑制层，所述生长抑制层沉积于沟槽内及所述生长平台的顶面上；

步骤3)：在衬底顶面旋涂一层第二光刻胶，所述第二光刻胶覆盖在所述沟槽内和所述生长平台顶面的生长抑制层上，利用所述掩膜版图形化所述第二光刻胶，露出所述生长平台顶面上的生长抑制层；

步骤4)：先以第二光刻胶为掩膜刻蚀掉所述生长平台顶面上的生长抑制层，再除去所述沟槽内的第二光刻胶，得到所述图形化衬底；

所述第一光刻胶和第二光刻胶，其中一个为负性光刻胶，另一个为正性光刻胶。

7.如权利要求6所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，在进行步骤1)之前，所述衬底顶面事先沉积有成核层。

8.如权利要求7所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述成核层为AlN层或GaN层或AlGaN层。

9.如权利要求6中任意一项所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述生长抑制层为SiO2层或者Si3N4层。

10.如权利要求6至9所述的图形化衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1)：在一蓝宝石衬底顶面旋涂一层第一光刻胶，利用一掩膜版图形化所述第一光刻胶，以第一光刻胶为掩膜刻蚀所述衬底形成若干沟槽，沟槽之间形成生长平台，除去生长平台顶面的第一光刻胶；

步骤2)：在步骤1)得到的衬底顶面沉积生长抑制层，所述生长抑制层沉积于沟槽内及所述生长平台的顶面上；所述生长抑制层为SiO2层或者Si3N4层；

步骤3)：在衬底顶面旋涂一层第二光刻胶，所述第二光刻胶覆盖在所述沟槽内和所述生长平台顶面的生长抑制层上，利用所述掩膜版图形化所述第二光刻胶，露出所述生长平台顶面上的生长抑制层；

步骤4)：先以第二光刻胶为掩膜，用氢氟酸溶液刻蚀掉所述生长平台顶面上的生长抑制层，再除去所述沟槽内的第二光刻胶，得到所述图形化衬底。