[发明专利]一种IGBT器件及制造方法

权利要求书

1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括绝缘栅场效应管、位于所述绝缘栅场效应管漏区的肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管和所述绝缘栅场效应管通过共用的N-漂移区复合，在所述肖特基势垒二极管中通过肖特基势垒接触形成所述IGBT器件的一个发射结，所述IGBT的发射极位于所述绝缘栅场效应管的上表面、集电极位于肖特基势垒二极管的下表面；

所述肖特基势垒二极管还包括金属硅化物、N+场终止层、绝缘阻挡层，其中，N+场终止层上表面全部与N-漂移区接触，金属硅化物的全部上表面和全部侧壁与N+场终止层的一部分接触，金属硅化物还分别与绝缘阻挡层、集电极接触，且所述集电极与场终止层构成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述肖特基势垒二极管中的半导体材料、所述绝缘栅场效应管中的半导体材料分别独立地选择硅材料，或碳化硅，或氮化镓，所述硅材料包括非晶硅、单晶硅、多晶硅中的任一种。

3.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述绝缘栅场效应管是平面栅结构，或沟槽栅结构，或垂直结构，或横向结构。

4.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，在所述肖特基势垒二极管的金属-半导体结中，肖特基接触区呈小岛形、网状或条形。

5.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，在所述肖特基势垒二极管的金属-半导体结中，半导体材料是经过掺杂处理的，且邻近金属侧的杂质浓度小于远离金属侧的杂质浓度。

6.根据权利要求5所述的IGBT器件，其特征在于，在所述肖特基势垒二极管的金属-半导体结中，半导体材料在邻近金属侧的掺杂浓度小于10¹⁷/cm³。