[发明专利]一种二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201711246924.X | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107968208B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 宋文波;毛健新;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01M4/90 | 分类号： | H01M4/90;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 姜姗姗 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 二硫化钼 复合材料 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构的制备方法，其特征在于：所述的二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构具有两种金属活性中心，由二硫化三镍和二硫化钼均匀混合形成的复合材料的二维纳米薄片堆积而成；所述的制备方法步骤如下：将硫源、钼源、镍源和模板混合并研磨粉碎成粉末，将上述粉末装入反应釜中，在惰性气体保护氛围以及温度为500～800 ℃条件下，进行温度由低到高分段连续煅烧，制得纳米片层结构；所述的钼源与镍源的摩尔比为0.25～10：1；硫源与镍源的摩尔比为4～160：1；模板与镍源的摩尔比为8～320：1；所述的模板为类水滑石或石墨烯结构材料。
2.如权利要求1所述的一种二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构的制备方法，其特征在于：所述的片层结构的单层厚度为1～10nm。
3.如权利要求1所述的二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构的制备方法，其特征在于：所述的二硫化三镍与二硫化钼的摩尔比为0.15～1.2:1。
4.如权利要求1所述的二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构的制备方法，其特征在于：所述的硫源为硫代乙酰胺、硫脲或其他含氮与硫的有机物及其衍生物。
5.如权利要求1所述的二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构的制备方法，其特征在于：所述的钼源为水溶性钼盐，为钼酸铵、四硫代钼酸铵、钼酸钠中的一种或几种。
6.如权利要求1所述的二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构的制备方法，其特征在于，所述的温度由低到高分段连续煅烧的温度和时间分别为：初步煅烧温度为500～600 ℃；后段煅烧温度为700～800 ℃，初步煅烧时间为3～4 h；后段煅烧时间为5～8 h。
7.如权利要求1所述的二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构的制备方法，其特征在于：钼源与镍源的摩尔比为1.25～7:1，硫源与镍源的摩尔比为20～120:1，模板与镍源的摩尔比为35～210:1。
8.如权利要求1所述的二硫化三镍/二硫化钼复合材料的纳米片层结构的制备方法，其特征在于：钼源与镍源的摩尔比为4:1，硫源与镍源的摩尔比为78:1，模板与镍源的摩尔比为132:1。
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