[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统有效
申请号: | 201711248022.X | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN108155116B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 北山将太郎;五师源太郎;大野广基;江头佳祐;川渕洋介;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B5/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 清洗 方法 系统 | ||
1.一种基板处理装置的清洗方法,使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使所述基板干燥的干燥处理,该基板处理装置的清洗方法包括以下工序:
清洗用气体填充工序,在进行了向所述基板处理装置的内部导入所述超临界流体来将所述液体置换为所述超临界流体之后使所述基板干燥的干燥处理之后,在不向所述基板处理装置的内部导入所述超临界流体的状态下,将含有异丙醇的清洗用气体填充于所述基板处理装置的内部;以及
排气工序,在所述清洗用气体填充工序之后,将所述清洗用气体从所述基板处理装置的内部排出。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的清洗方法,其特征在于,
所述液体含有异丙醇。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置的清洗方法,其特征在于,
所述清洗用气体填充工序包括以下工序:
清洗用液体搬入工序,将盛放了含有异丙醇的清洗用液体的夹具搬入所述基板处理装置的内部;以及
清洗用液体汽化工序,在所述清洗用液体搬入工序之后,在所述基板处理装置的内部使所述清洗用液体汽化。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置的清洗方法,其特征在于,
所述夹具包括:
圆板部,其具有与所述基板的直径和厚度相同的直径和厚度;以及
轮形部,其从所述圆板部的主表面突出为轮形状。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置的清洗方法,其特征在于,
所述清洗用气体填充工序包括清洗用气体注入工序,在该清洗用气体注入工序中,经由规定注入路径来将所述清洗用气体注入所述基板处理装置的内部。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置的清洗方法,其特征在于,
所述清洗用气体填充工序包括以下工序:
清洗用液体注入工序,经由规定注入路径来将含有异丙醇的清洗用液体注入所述基板处理装置的内部;以及
清洗用液体汽化工序,在所述清洗用液体注入工序之后,在所述基板处理装置的内部使所述清洗用液体汽化。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置的清洗方法,其特征在于,
所述超临界流体是含有二氧化碳的超临界流体。
8.一种基板处理装置的清洗系统,使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使所述基板干燥的干燥处理,基板处理装置的清洗系统包括:
清洗用气体填充部,其在进行了向所述基板处理装置的内部导入所述超临界流体来将所述液体置换为所述超临界流体之后使所述基板干燥的干燥处理之后,在不向所述基板处理装置的内部导入所述超临界流体的状态下,将含有异丙醇的清洗用气体填充于所述基板处理装置的内部;以及
排气部,其将所述清洗用气体从所述基板处理装置的内部排出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造