[发明专利]一种二极管的制造方法及由此制得的二极管

说明书

本发明公开了一种二极管的制造方法及由此制得的二极管，本发明的制造方法包括二极管晶粒制备、填装、焊接、清洗封装步骤，本发明利用晶粒和焊片在高温下不同的热膨胀系数及形变，焊接前无需提前对正晶粒，即可实现焊接后晶粒自动拉正，气孔面积大大减小，提高焊接质量，经由氢氟酸：醋酸：硫酸：硝酸的体积比＝8.8:13:5.6:9.2制得的混合酸酸洗后的晶粒电性良率高。

技术领域

本发明属于高压硅堆领域，尤其涉及一种二极管的制造方法及由此制得的二极管。

背景技术

当前晶粒制造的一般方法是采用整片硅片焊接堆积后再切开的工艺，焊接夹具笨重复杂，并且由于整片硅片在之前扩散工艺造成的形变，大片焊片高温熔化后分布不均匀，导致切割过程破损率高，切开后的小单元还要二次装填以焊接引线，二次焊接造成晶粒二次损伤，焊接次数越多损伤越严重。如上工艺不仅过程复杂，设备庞杂，而且成本高，成品率低(80％左右)。

一般的晶粒生产，容易导致晶粒的极性反转，极性不一致，因此在焊接之前需要将晶粒的极性进行挑选和验证，这给后续正确的焊接带来极大的麻烦。

常规的晶粒焊接，没有人对于焊片与晶粒之间的尺寸比例关系进行详细和认真的研究，因此一直没能对于晶粒焊接的对正问题作出贡献。

而且行业内普遍采用硅堆焊接的温度为大于350℃的，在小于350℃的时，会出现焊接不良的情况，当温度达到350℃～380℃才能实现良好的焊接，但高温导致焊接出的硅堆焊接气孔大，气孔面积一般在8～20％，良品率低(小于90％)，而且浪费能源。

酸洗是对焊接后的二极管，在上白胶之前进行的一个关键步骤和工艺，用酸洗掉晶粒切割时造成的pn结切割面毛糙，避免酸洗可能导致的表面腐蚀坑，简单有效去除铜、铅等不易冲洗物质，可以提高电性良率，提升酸洗工艺品质。

许多的二极管经常在60℃以上的环境中工作，芯片的结温常常会达到125℃以上，因此，提高产品的高温反偏能力是非常有意义的。用传统工艺生产，它们的高温反偏合格率只能达到60％左右，为使产品更加有竞争优势，产品的质量和高温环境下的可靠性得以提高，提高产品的高温反偏筛选合格率的工艺技术一直没有突破。

当前混酸的常规配方，出现部分产品酸洗后表面毛糙，而且会造成相当比例的表面腐蚀坑。

发明内容

鉴于已有技术存在的缺陷，本发明提供了一种二极管的制造方法及由此制得的二极管，由本发明制作方法生产的二极管反向耐压高，而正向电压小，本发明只需一次装填焊接即可将晶粒通过焊接自动对正，而且焊接气孔面积小，良品率高。本发明的酸洗工艺能够最大程度洗净切割面毛糙，有效避免了酸洗可能导致的表面腐蚀坑，提高了产品的电性良率。

本发明要解决的技术问题的技术方案是：

一种二极管的制造方法，包括如下步骤：

步骤1：二极管晶粒的制备

1.1、在硅晶片的厚度方向预切割，形成不完全切开的方形的二极管晶粒，硅晶片的切割深度为硅晶片总厚度的3/5～4/5。

1.2、将在厚度方向预切割的硅晶片N面朝上放在晶粒裂解纸上，切割刀口方向朝上，轻压，使得不完全切开的二极管晶粒完全裂解。

步骤2：装填

2.1、将下引线装入下焊接舟。

2.2、将焊片放入焊片吸盘，并移入焊接舟，焊片落在引线之上；二极管晶粒放入焊接舟，落在焊片之上，二极管晶粒上放置焊片，在焊接舟表面均匀喷洒助焊剂，最后合上载有上引线的上焊接舟。

二极管晶粒可以任意角度放入，无需刻意调整晶粒放入的角度，焊片放入时也无需刻意调整位。