[发明专利]抗蚀剂剥离液组合物在审

专利信息
申请号: 201711249993.6 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108693717A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 高京俊;金圣植;金正铉 申请(专利权)人: 东友精细化工有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金鲜英;宋海花
地址: 韩国全*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 抗蚀剂剥离液 烷基 碳原子数 有机碱化合物 过滤器 光致抗蚀剂 剥离设备 分子结构 流量变化 湿式蚀刻 有机溶剂 有效地 干式 剥离
【说明书】:

本发明提供一种抗蚀剂剥离液组合物,其包含化学式1所表示的化合物和有机碱化合物。下述化学式1中,当R1为氢时,R2和R3各自独立地为氢或碳原子数2~4的烷基;当R1为碳原子数1~4的烷基时,R2和R3各自独立地为氢或碳原子数1~4的烷基。本发明通过限制抗蚀剂剥离液组合物中所包含的有机溶剂的分子结构,从而提供有效地剥离光致抗蚀剂,在干式/湿式蚀刻工序中均可使用,并且所使用的抗蚀剂剥离液容易通过剥离设备中的过滤器,明显改善流量变化问题的抗蚀剂剥离液组合物。[化学式1]

技术领域

本发明涉及抗蚀剂剥离液组合物,更详细而言,涉及不阻碍剥离设备中的过滤器通过且顺利通过过滤器的抗蚀剂剥离液组合物。

背景技术

一般而言,半导体/LED/LCD元件的微细电路经由一系列光刻工序而完成。光刻工序是如下工序:在基板上均匀地涂布金属膜或绝缘膜等,且在其上均匀地涂布光致抗蚀剂后,通过刻有图案的掩模而照射光,通过显影工序而形成期望的图案的光致抗蚀剂。此时,利用干式/湿式蚀刻将图案转印至处于光致抗蚀剂下部的金属膜和绝缘膜后,无用的光致抗蚀剂通过剥离工序来去除。

光致抗蚀剂根据由射线照射引起的对于显影液的溶解度差异区分为正(positive)光致抗蚀剂和负(negative)光致抗蚀剂。正光致抗蚀剂利用曝光的部分的溶解度增加来实现显影,负光致抗蚀剂通过因曝光的部分的固化导致的溶解度减少而在显影后作为图案残留。

一般而言,湿式工序中,正型光致抗蚀剂可以利用通常的剥离液来容易地去除,但负型光致抗蚀剂由于被紫外线交联,因而利用由一般的溶剂形成的剥离液无法容易地去除。即便能够去除,也需要在高温进行长时间的剥离,因此会降低工序效率。

由此,以往韩国专利公开公报第10-2016-0121205号提供了可以剥离正型和负型光致抗蚀剂,且能够用于干式和湿式蚀刻方式的光致抗蚀剂剥离液组合物。但是,以往光致抗蚀剂剥离液组合物虽然改善了剥离效果和剥离工序,但所使用的抗蚀剂剥离液在通过剥离设备中的过滤器时可能发生因抗蚀剂剥离液相中所包含的抗蚀剂渣滓以及剥离液本身的性质而在通过过滤器时使流量明显降低的问题,因此存在使抗蚀剂剥离液的更换周期和过滤器更换周期缩短的担忧。然而,实际情况是,并没有针对改善这样的问题的剥离液组合物的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:韩国专利公开公报第10-2016-0121205号

发明内容

所要解决的课题

为了解决上述问题,本发明的目的在于提供一种抗蚀剂剥离液组合物,其有效地剥离光致抗蚀剂,在干式/湿式蚀刻工序中均可使用,并且所使用的抗蚀剂剥离液容易通过剥离设备中的过滤器,明显改善流量变化问题。

解决课题的方法

本发明提供包含化学式1所表示的化合物和有机碱化合物的抗蚀剂剥离液组合物。

[化学式1]

上述化学式1中,当R1为氢时,R2和R3各自独立地为氢或碳原子数2~4的烷基;当R1为碳原子数1~4的烷基时,R2和R3各自独立地为氢或碳原子数1~4的烷基。

发明效果

本发明通过限制抗蚀剂剥离液组合物中所包含的有机溶剂的分子结构,从而提供有效地剥离光致抗蚀剂,在干式/湿式蚀刻工序中均可使用,并且所使用的抗蚀剂剥离液容易通过剥离设备中的过滤器,明显改善流量变化问题的抗蚀剂剥离液组合物。

具体实施方式

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