[发明专利]一种熔断器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711253413.0 | 申请日： | 2017-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109872926B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 简佩;韩玉成;苟廷刚;周婉恬;芮家群;周浩;娄经红 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01H69/02 | 分类号： | H01H69/02 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 熔断器 及其 制备 方法 | ||
1.一种熔断器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后烧结；
(2)绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后烧结；
(3)熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，然后烧结；
(4)制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行烧结；
(5)一次裂片：将烧结固化好的陶瓷基片进行一次裂片，并在裂片条的端面溅射端电极，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；
(6)二次裂片：将进行一次裂片之后的陶瓷基片进行二次裂片；
(7)电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀镍、镀锡，保证镍层厚度为3～12μm、锡层厚度为5～18μm；
所述背电极制作时，陶瓷基片背面印刷背电极之后，在880℃～920℃温度下烧结。
2.如权利要求1所述的熔断器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层制作时，在920℃～935℃的高温下烧结38分钟～45分钟。
3.如权利要求1所述的熔断器的制备方法，其特征在于，所述熔断体制作时，所述熔断体的浆料由银浆和金浆按照质量比3:1配制而成，印刷熔断体之后，在800℃～825℃温度下烧结25分钟～35分钟。
4.如权利要求1所述的熔断器的制备方法，其特征在于，所述制作包封层时，烧结温度为550℃～570℃，烧结时间为40分钟～45分钟。
5.一种由权利要求1～4任一所述的熔断器的制备方法制备得到的熔断器。
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