[发明专利]碳化硅晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶片的制造方法包括：

提供碳化硅晶片，具有待抛光面；其中，所述待抛光面具有第一表面与第二表面；其中，所述第一表面为一碳面，且所述第二表面为一硅面；

以抛光器在第一抛光液中，对所述待抛光面的所述第一表面进行抛光；其中，所述抛光器包含抛光垫及固定于所述抛光垫的多个研磨颗粒；

在以所述抛光器在所述第一抛光液中对所述第一表面进行抛光后，以所述抛光器在第二抛光液中，对所述待抛光面的所述第二表面进行抛光；其中，所述第一抛光液的pH值不大于2，而所述第二抛光液的pH值不小于8；

在以所述抛光器在所述第二抛光液中对所述第二表面进行抛光后，以所述抛光器在一第三抛光液中，对所述待抛光面的所述第一表面进行抛光；及

在以所述抛光器在所述第三抛光液中对所述第一表面进行抛光后，以所述抛光器在一第四抛光液中，对所述待抛光面的所述第二表面进行抛光，使所述待抛光面形成一抛光面；其中，所述第三抛光液的pH值不大于7，而所述第四抛光液的pH值不小于7。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述第一抛光液包含氧化剂，所述第二抛光液包含金属盐类。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述第三抛光液的pH值不大于4；所述第四抛光液的pH值不小于8；其中，所述抛光面的三维算数平均偏差小于2.5纳米，所述抛光面的三维轮廓高低差小于20纳米，并且所述抛光面未形成长度大于5微米的刮痕。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述第一抛光液与所述第二抛光液内皆未包含任何研磨颗粒。

5.一种碳化硅晶片，其特征在于，所述碳化硅晶片包括位于相反侧的两个表面，并且两个所述表面的至少其中一个所述表面为抛光面且包括：

基准面，未形成长度大于5微米的刮痕；以及

微结构模块，形成于所述基准面，所述微结构模块包含凹设于所述基准面的多个微凹陷以及突出于所述基准面的多个微凸起，并且所述微结构模块的三维算数平均偏差小于2.5纳米，而所述微结构模块的三维轮廓高低差小于20纳米。

6.根据权利要求5所述的碳化硅晶片，其特征在于，所述微结构模块的所述三维算数平均偏差与所述三维轮廓高低差的比值小于0.25。

7.根据权利要求5所述的碳化硅晶片，其特征在于，所述基准面在其每平方厘米的区域内的所述微凹陷的数量小于1个，并且所述基准面在其每平方厘米的区域内的所述微凸起的数量小于1个；所述基准面在其每平方厘米的区域内的所述微凹陷与所述微凸起的数量总和小于3个。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的碳化硅晶片，其特征在于，所述微结构模块的任一个所述微凹陷或是任一个所述微凸起正投影至所述基准面的投影区域，所述投影区域的面积小于100平方微米。