[发明专利]具有细长边垫的放大器管芯以及放大器模块

权利要求书

1.一种单片功率晶体管集成电路(IC)，其特征在于，包括：

半导体管芯，其具有顶部表面、底部表面、在所述顶部表面与所述底部表面之间延伸的平行的第一侧边和第二侧边，以及在所述第一侧边与所述第二侧边之间和在所述顶部表面与所述底部表面之间延伸的平行的第三侧边和第四侧边；

一个或多个晶体管，其集成在所述半导体管芯中，其中所述一个或多个晶体管包括控制端和导电端；

输入端，其电耦合到所述一个或多个晶体管的所述控制端；以及

输出端，其电耦合到所述一个或多个晶体管的所述导电端，其中穿过所述功率晶体管IC的信号路径的方向从所述半导体管芯的所述第一侧边朝着所述第二侧边延伸，所述输出端具有接近所述半导体管芯的所述第三侧边的细长第一垫，所述细长第一垫具有与所述半导体管芯的所述第三侧边平行地延伸的第一长度，且所述第一长度足够大以使得第一多个焊线能够沿着所述细长第一垫的所述第一长度并联连接，

其中，所述输出端还包括：

细长第二垫，其电耦合到所述细长第一垫，其中所述细长第二垫接近所述半导体管芯的所述第二侧边，且所述细长第二垫具有与所述半导体管芯的所述第二侧边平行地延伸的第二长度，且所述第二长度足够大以使得第二多个焊线能够沿着所述细长第二垫的所述第二长度并联连接；以及

细长第三垫，其电耦合到所述细长第一垫且电耦合到所述细长第二垫，其中所述细长第三垫接近所述半导体管芯的所述第四侧边，所述细长第三垫具有与所述半导体管芯的所述第四侧边平行地延伸的第三长度，且所述第三长度足够大以使得第三多个焊线能够沿着所述细长第三垫的所述第三长度并联连接。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管IC，其特征在于：

所述第一长度在介于200微米与400微米之间的范围内。

3.根据权利要求1所述的功率晶体管IC，其特征在于：

所述第一长度足够大以使得所述第一多个焊线能够沿着所述细长第一垫的所述第一长度并联连接，以使得所述第一多个焊线中的所述焊线中的每一个在与所述半导体管芯的所述第三侧边垂直的方向上延伸；以及

所述第二长度足够大以使得所述第二多个焊线能够沿着所述细长第二垫的所述第二长度并联连接，以使得所述第二多个焊线中的所述焊线中的每一个在与所述半导体管芯的所述第二侧边垂直的方向上延伸。

4.根据权利要求1所述的功率晶体管IC，其特征在于：

所述第一长度在介于200微米与400微米之间的范围内；以及

所述第二长度在介于800微米与1800微米之间的范围内。

5.根据权利要求1所述的功率晶体管IC，其特征在于，所述半导体管芯包括：

具有顶部表面和底部表面的半导体基板，其中所述半导体基板的所述底部表面限定所述半导体管芯的所述底部表面，且所述导电端耦合到接近所述半导体基板的所述顶部表面的掺杂半导体区；以及

多个图案化导电层，其形成在所述半导体基板的所述顶部表面上方，其中所述细长第一垫由最靠近所述半导体管芯的所述顶部表面的图案化导电层的一部分形成。

6.根据权利要求1所述的功率晶体管IC，其特征在于，所述半导体管芯包括：

具有顶部表面和底部表面的半导体基板，其中所述半导体基板的所述底部表面限定所述半导体管芯的所述底部表面，且所述导电端包括接近所述半导体基板的所述顶部表面的掺杂半导体区；以及

多个图案化导电层，其形成在所述半导体基板的所述顶部表面上方，其中所述输入端和所述输出端由暴露在所述半导体管芯的所述顶部表面处的一个或多个图案化导电层的部分形成，并且其中

所述输入端具有接近所述半导体管芯的所述第一侧边的细长第二垫，所述细长第二垫具有与所述半导体管芯的所述第一侧边平行地延伸的第二长度，且所述第二长度足够大以使得第二多个焊线能够沿着所述细长第二垫的所述第二长度并联连接。